[實用新型]應用于P型核磁發射器模塊的場效應管保護電路有效
| 申請號： | 201720891038.1 | 申請日： | 2017-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN207099046U | 公開（公告）日： | 2018-03-13 |
| 發明（設計）人： | 郭運;嵇成高;楊愛東;余湘;高建忠;韓明明;王浩然;谷學博;劉國臣;王錫磊;田穩紅;何建遠;孔譚;陳金剛;李艷芹 | 申請（專利權）人： | 中國石油集團渤海鉆探工程有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/081 | 分類號： | H03K17/081 |
| 代理公司： | 天津才智專利商標代理有限公司12108 | 代理人： | 劉美甜 |
| 地址： | 300457 天津市濱海新區開發區第*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 應用于 型核磁 發射器 模塊 場效應 保護 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種應用于P型核磁發射器模塊的場效應管保護電路，包括驅動邏輯控制電路(1)、場效應保護電路(2)、雙向穩壓電路(3)和電感線圈(4)；
所述場效應保護電路(2)包括三個NMOS管，三個NMOS管的漏極均與電源連接，源極均與所述雙向穩壓電路(3)相連，柵極分別與所述驅動邏輯控制電路(1)相連；
所述雙向穩壓電路(3)串接在所述電感線圈(4)的第一端；
其特征在于，還包括三個瞬態抑制二極管(6)和一個碳化硅二極管(5)；
所述三個瞬態抑制二極管(6)分別并聯在三個NMOS管的源極和柵極之間，其中各瞬態抑制二極管(6)的正極均接在各NMOS管的源極，負極均接在各NOMS管的柵極；
所述碳化硅二極管(5)的正極連接在所述電感線圈(4)的第二端，負極連接在電源上。
2.如權利要求1所述應用于P型核磁發射器模塊的場效應管保護電路，其特征在于：所述雙向穩壓電路(3)包括一個雙向穩壓管和兩個二極管，雙向穩壓管、兩個二極管彼此并聯。
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