[實用新型]抗電壓跌落應用電路有效
| 申請號： | 201720888196.1 | 申請日： | 2017-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN207039452U | 公開（公告）日： | 2018-02-23 |
| 發明（設計）人： | 路超 | 申請（專利權）人： | 成都新欣神風電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H02M3/00 | 分類號： | H02M3/00;H02M3/156 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商標專利事務所51213 | 代理人： | 譚德兵 |
| 地址： | 610000 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電壓 跌落 應用 電路 | ||
1.一種抗電壓跌落應用電路，其特征在于包括：
升壓電路，輸入電壓Vin通過升壓電路連接DC-DC變換器；
反饋網絡，反饋網絡分別與后級電路和升壓控制芯片連接，用于采樣后級電路電壓并反饋給升壓控制芯片；
升壓控制芯片，所述升壓控制芯片與所述升壓電路連接，用于所述升壓控制芯片根據采樣的電壓跌落一設定閾值的情況，控制所述升壓電路升壓。
2.根據權利要求1所述的抗電壓跌落應用電路，其特征在于所述升壓電路為boost升壓電路。
3.根據權利要求1所述的抗電壓跌落應用電路，其特征在于所述升壓電路包括電感L1、二極管D1和開關Q1；
所述電感L1一端與所述輸入電壓Vin連接，所述電感L1另一端與二極管D1正極連接，所述二極管D1負極連接所述DC-DC變換器；
所述開關Q1一端與二極管D1正極連接，所述開關Q1另一端與所述升壓控制芯片連接。
4.根據權利要求3所述的抗電壓跌落應用電路，其特征在于所述開關Q1為MOSFET管，所述MOSFET管漏極接所述二極管D1正極，所述MOSFET管源極接地，所述MOSFET管柵極接所述升壓控制芯片。
5.根據權利要求3或4所述的抗電壓跌落應用電路，其特征在于還包括電容C2，所述電容C2一端與所述二極管D1負極連接，所述電容C2另一端接地。
6.根據權利要求1所述的抗電壓跌落應用電路，其特征在于還包括電容C1，所述電容C1一端與所述輸入電壓Vin連接，所述電容C1另一端接地。
7.根據權利要求1所述的抗電壓跌落應用電路，其特征在于所述反饋網絡包括電阻R1和電阻R2，所述電阻R1一端與Vbst端連接，所述電阻R1另一端再與所述升壓控制芯片和所述電阻R2一端連接，所述電阻R2另一端接地。
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