[實(shí)用新型]一種帶有絕緣劃片道的芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720882317.1 | 申請日： | 2017-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN206976350U | 公開（公告）日： | 2018-02-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李江華;孫效中;湯為 | 申請（專利權(quán)）人： | 常州旺童半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L21/78 |
| 代理公司： | 常州知融專利代理事務(wù)所(普通合伙)32302 | 代理人： | 張?jiān)?/td> |
| 地址： | 213000 江蘇省常州市武進(jìn)區(qū)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 帶有 絕緣 劃片 芯片 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種帶有絕緣劃片道的芯片，具有襯底(1)和安裝在所述襯底(1)上端的芯片器件(2)，其特征在于：所述的襯底(1)上端的芯片器件(2)呈矩陣陣列排列設(shè)置，相鄰芯片器件(2)之間的襯底(1)上開設(shè)有劃片道(3)，劃片道(3)的上半部涂覆有絕緣層(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶有絕緣劃片道的芯片，其特征在于：所述的絕緣層(4)采用的材料為二氧化硅、H系硅微粉或環(huán)氧樹脂。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶有絕緣劃片道的芯片，其特征在于：所述的絕緣層(4)的深度大于芯片器件(2)的厚度。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
