[實用新型]輸出驅動器和驅動裝置有效
| 申請號: | 201720879866.3 | 申請日: | 2017-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN207427111U | 公開(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發明(設計)人: | K·普塔契克 | 申請(專利權)人: | 半導體元件工業有限責任公司 |
| 主分類號: | H03K17/296 | 分類號: | H03K17/296;H03K17/687 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 張小穩 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輸出驅動器 電源開關 開關設備 驅動裝置 接通 本實用新型 電壓電平 下拉電路 下拉 改進 | ||
本公開涉及輸出驅動器和驅動裝置。本實用新型要解決的一個技術問題是提供改進的輸出驅動器和驅動裝置。所述輸出驅動器包括開關設備,所述開關設備具有耦接到電源開關的柵極的第一節點,并下拉所述電源開關的所述柵極的電壓電平,以防止過早接通所述電源開關,和耦接到所述開關設備的下拉電路,并阻止接通所述開關設備,以防止過早接通所述電源開關。通過本實用新型,可以獲得改進的輸出驅動器和驅動裝置。
技術領域
本公開涉及集成電路設備,并且更具體地涉及包括輸出驅動器電路的集成電路設備。
背景技術
輸出驅動器從控制器接收低功率輸入信號并產生高功率驅動信號以控制另一電路或另一部件,例如,功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。當在功率MOSFET的漏極處供應高速率的漏極-源極電壓(dv/dt)時,在位于功率MOSFET的漏極和柵極之間的柵極-漏極寄生電容上的電壓可能導致位移電流從功率MOSFET的漏極流向柵極。位移電流可能導致柵極-源極電壓超過功率MOSFET的閾值電壓并且導致功率MOSFET的錯誤接通。
常規的輸出驅動器包括下拉電阻器,該下拉電阻器耦接在功率MOSFET的柵極和源極之間,用于解決錯誤接通問題。該下拉電阻器通常具備低電阻值,例如當功率MOSFET的閾值電壓為低時,柵極-漏極寄生電容的值為大,或這兩種情況皆有。然而,具有低電阻值的下拉電阻器因泄漏電流而具有較高功耗。
實用新型內容
本實用新型要解決的一個技術問題是提供改進的輸出驅動器和改進的驅動裝置。
本公開涉及輸出驅動器電路。在實施方案中,輸出驅動器包括:開關設備,所述開關設備具有耦接到電源開關的柵極的第一節點并下拉該電源開關的柵極的電壓電平,以防止過早接通電源開關;和下拉電路,所述下拉電路耦接到所述開關設備并阻止接通所述開關設備,以防止過早接通電源開關。
在實施方案中,開關設備包括耗盡型n溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管,該耗盡型n溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管具有耦接到第一節點的漏極,其中下拉電路在電源開關處于或過渡到通電模式時關斷開關設備。
在實施方案中,其中下拉電路包括:控制電路,所述控制電路基于供電電壓、第一參考電壓和反饋信號生成激活信號;和負電荷泵,所述負電荷泵根據激活信號生成控制信號并將該控制信號輸出到開關設備。
在實施方案中,反饋信號是控制信號,并且控制電路包括:第一比較器,所述第一比較器將供電電壓與第一參考電壓進行比較,以輸出第一輸入信號;第二比較器,所述第二比較器將反饋信號與第二參考電壓進行比較,以輸出第二輸入信號;和邏輯門,所述邏輯門對第一輸入信號和第二輸入信號執行邏輯運算,以輸出激活信號。
在實施方案中,電源開關在供電電壓小于第一參考電壓時處于斷電模式,并且電源開關在斷電模式與通電模式之間的時間間隔處處于中間模式,并且其中通過開關設備防止過早接通電源開關涉及在斷電模式和中間模式期間保持電源開關斷開。
在實施方案中,邏輯門是邏輯與門,并且其中邏輯門在電源開關處于中間模式時輸出指示邏輯高值的激活信號,并且在電源開關處于斷電模式或通電模式時輸出指示邏輯低值的激活信號。
在實施方案中,開關設備是第一開關設備,并且控制電路包括:第一比較器,所述第一比較器將供電電壓和第一參考電壓進行比較,以輸出第一輸入信號;第二開關設備,所述第二開關設備耦接在第二節點和地之間,并接收反饋信號,在第二節點處的電壓與第二輸入信號對應;電阻器,所述電阻器耦接在供電電壓和第二節點之間;和邏輯門,所述邏輯門對第一輸入信號的反相版本和第二輸入信號執行邏輯運算,以輸出激活信號。
在實施方案中,電源開關在供電電壓小于第一參考電壓時處于斷電模式,并且電源開關在斷電模式與通電模式之間的時間間隔處處于中間模式,并且其中邏輯門在電源開關處于中間模式時輸出指示邏輯低值的激活信號,并且在電源開關處于斷電模式或通電模式時輸出指示邏輯高值的激活信號。
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