[實用新型]單片半導體器件和半導體器件有效
| 申請號： | 201720869307.4 | 申請日： | 2017-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN207367973U | 公開（公告）日： | 2018-05-15 |
| 發明（設計）人： | J·W·霍爾;G·M·格里弗納 | 申請（專利權）人： | 半導體元件工業有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 張小穩 |
| 地址： | 美國亞*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單片 半導體器件 | ||
1.一種單片半導體器件，包括：
襯底，所述襯底具有部分地延伸通過所述襯底的開口；
形成在所述開口內的半導體材料；
形成在所述半導體材料內的功率半導體器件；
控制邏輯電路，形成在所述開口外部的所述襯底的一部分中以控制所述功率半導體器件；以及
第一隔離溝槽，形成在所述半導體材料中以隔離所述功率半導體器件和所述控制邏輯電路。
2.根據權利要求1所述的單片半導體器件，其中所述功率半導體器件包括垂直功率半導體器件。
3.根據權利要求1所述的單片半導體器件，還包括形成在所述開口外部的所述襯底的所述一部分中的第二隔離溝槽，以將第一控制邏輯電路與第二控制邏輯電路隔離。
4.根據權利要求1所述的單片半導體器件，還包括形成在所述功率半導體器件和所述控制邏輯電路之上的互連結構。
5.根據權利要求1所述的單片半導體器件，其中所述襯底包括絕緣體上硅SOI襯底。
6.一種半導體器件，包括：
襯底；
功率區域，形成在所述襯底的第一部分中，其中所述功率區域包括功率半導體器件；
控制區域，形成在所述襯底的第二部分中，其中所述控制區域包括控制所述功率半導體器件的控制邏輯電路；以及
第一隔離溝槽，形成在所述功率區域和所述控制區域之間，以隔離所述控制邏輯電路和所述功率半導體器件。
7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述功率半導體器件包括垂直功率半導體器件。
8.根據權利要求6所述的半導體器件，還包括形成在所述控制區域中的第二隔離溝槽，以將第一控制邏輯電路與第二控制邏輯電路隔離。
9.根據權利要求6所述的半導體器件，還包括形成在所述功率區域和所述控制區域之上的互連結構。
10.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述襯底包括絕緣體上硅SOI襯底。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
