[實用新型]一種用于揚聲器的磁路結構

有效

• 申請號: 201720868747.8
• 申請日: 2017-07-17
• 公開（公告）號: CN207491199U
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 沈一偉;吳振興
• 申請（專利權）人: 重慶市冠音泰科技有限公司
• 主分類號: H04R9/06
• 分類號: H04R9/06;H04R9/02
• 代理公司: 廈門智慧呈睿知識產權代理事務所(普通合伙) 35222
• 代理人: 郭福利;魏思凡

1.一種用于揚聲器的磁路結構，其特征在于，包括華司及磁鐵，所述華司包括第一華司及第二華司，所述第一華司及第二華司均為一端具有開口的腔體結構，所述磁鐵放置在所述第一華司的腔體內，所述第一華司置于所述第二華司的腔體內，所述第一華司的開口與所述第二華司的開口的朝向相反。

2.根據權利要求1所述的一種用于揚聲器的磁路結構，其特征在于，所述第一華司的空腔為第一容置腔，所述第二華司的空腔為第二容置腔，所述第一容置腔與所述磁鐵適配，所述第二容置腔與所述第一華司適配。

3.根據權利要求2所述的一種用于揚聲器的磁路結構，其特征在于，所述第一華司與所述第二華司的開口為水平朝向，所述第一容置腔及所述第二容置腔的底面均設有數個凹槽，所述凹槽內設置有墊片。

4.根據權利要求3所述的一種用于揚聲器的磁路結構，其特征在于，所述墊片包括墊片主體與凸起，所述墊片主體與所述凹槽適配，所述凸起設置在所述墊片朝向腔體的表面上，所述凸起為弧形面。

5.根據權利要求4所述的一種用于揚聲器的磁路結構，其特征在于，所述第一容置腔及所述第二容置腔的底面的凹槽呈陣列排布。

6.根據權利要求5所述的一種用于揚聲器的磁路結構，其特征在于，所述華司靠近音圈的一面的邊緣開設有避讓缺口。

7.根據權利要求6所述的一種用于揚聲器的磁路結構，其特征在于，所述避讓缺口為開設在所述華司最邊緣處的臺階型缺口，所述避讓缺口呈環形。