[實用新型]一種DC?20GHz吸收式單刀單擲開關

有效

• 申請號: 201720859921.2
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN207039559U
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 齊步坤;黃軍恒;劉家兵
• 申請（專利權）人: 合肥芯谷微電子有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 昆明合眾智信知識產權事務所53113
• 代理人: 張璽

技術領域

本實用新型涉及微波開關技術領域，具體為一種DC-20GHz吸收式單刀單擲開關。

背景技術

傳統的開關控制電路，通常采用單級串聯/并聯晶體管結構，或者兩級串并聯晶體管結構來實現。單級的串聯結構，具有寬帶，高頻插損大，隔離度小的特點，單級的并聯結構，具有窄帶，高頻插損小而隔離度大的特點；兩級串并聯結構結合了兩者的優點，但是也需要在插損和隔離度之間進行折中。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種DC-20GHz吸收式單刀單擲開關，以解決上述背景技術中提出的問題。所述DC-20GHz吸收式單刀單擲開關具有超帶寬、輸入輸出反射系數小、插損小、隔離度高、尺寸小等優點。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：

一種DC-20GHz吸收式單刀單擲開關，包括有7級開關晶體管結構，兩個射頻輸入輸出端口RF1、RF2，兩個直流控制端口VC1、VC2，射頻輸入端RF1通過電感L1與第1級晶體管T1源極相連；第1級晶體管T1柵極通過高阻值電阻R3 與直流控制端口VC1相連；

輸入級負載電阻R1一端連接第1級晶體管T1源極，另一端連接在其漏極；

第1級晶體管T1漏極通過電感L2與第2級晶體管T2漏極相連；第2級晶體管T2柵極通過高阻值電阻R4與直流控制端口VC2相連；第2級晶體管T2源極通過電感L3接地；第2級晶體管T2漏極通過電感L4與第3級晶體管T3漏極相連；

第3級晶體管T3柵極通過高阻值電阻R5與直流控制端口VC2相連；第3 級晶體管T3源極通過電感L5接地；第3級晶體管T3漏極直接與第4級晶體管 T4源極相連；

第4級晶體管T4柵極通過高阻值電阻R6與直流控制端口VC1相連；第4 級晶體管T4漏極直接與第5級晶體管T5漏極相連；

第5級、第6級、第7級晶體管連接方式以第4級晶體管T4為軸線分別與第3級、第2級、第1級晶體管鏡面對稱。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：電路結構簡單，具有超帶寬、輸入輸出反射系數小、插損小、隔離度高、尺寸小等優點，解決了傳統電路指標的不足和缺陷。

附圖說明

圖1為本實用新型電路結構示意圖；

圖2為采用本實用新型測試后的輸入輸出反射系數圖；

圖3為采用本實用新型測試后的另一種輸入輸出反射系數圖；

圖4為采用本實用新型測試后的插損圖；

圖5為采用本實用新型測試后的隔離度圖。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

請參閱圖1，本實用新型提供一種技術方案：

一種DC-20GHz吸收式單刀單擲開關，包括有7級開關晶體管結構，兩個射頻輸入輸出端口RF1、RF2，兩個直流控制端口VC1、VC2，射頻輸入端RF1通過電感L1與第1級晶體管T1源極相連；第1級晶體管T1柵極通過高阻值電阻R3 與直流控制端口VC1相連；

輸入級負載電阻R1一端連接第1級晶體管T1源極，另一端連接在其漏極；

第1級晶體管T1漏極通過電感L2與第2級晶體管T2漏極相連；第2級晶體管T2柵極通過高阻值電阻R4與直流控制端口VC2相連；第2級晶體管T2源極通過電感L3接地；第2級晶體管T2漏極通過電感L4與第3級晶體管T3漏極相連；

第3級晶體管T3柵極通過高阻值電阻R5與直流控制端口VC2相連；第3 級晶體管T3源極通過電感L5接地；第3級晶體管T3漏極直接與第4級晶體管 T4源極相連；

第4級晶體管T4柵極通過高阻值電阻R6與直流控制端口VC1相連；第4 級晶體管T4漏極直接與第5級晶體管T5漏極相連；

第5級、第6級、第7級晶體管連接方式以第4級晶體管T4為軸線分別與第3級、第2級、第1級晶體管鏡面對稱。

兩個射頻輸入輸出端口RF1、RF2可互易作為輸出、輸入端口；

本實用新型中，7級開關晶體管結構之間通過電感相連接，采用微帶線匹配技術實現DC-20GHz帶寬。

以下結合圖1對本實用新型作進一步的說明：

1、T1、T4、T7作為串聯結構的晶體管，實現寬帶開關的功能。