[實用新型]電容和埋電容電路板

有效

• 申請號: 201720856074.4
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN207382679U
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 張志強;張曉峰;宋紅林;白四平
• 申請（專利權）人: 武漢光谷創元電子有限公司
• 主分類號: H05K1/16
• 分類號: H05K1/16;H05K3/46
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 肖日松;張昱

1.一種電容，其包括：

高介電常數聚合物復合材料層；

離子注入層，所述離子注入層通過離子注入方法使導電材料離子高速注入至高介電常數聚合物復合材料層內而形成；以及

金屬層，其形成并覆蓋于所述離子注入層上。

2.根據權利要求1所述的電容，其特征在于，所述離子注入層的注入材料與所述高介電常數聚合物復合材料層形成摻雜結構，所述摻雜結構在所述高介電常數聚合物復合材料層的表面下形成多個基樁。

3.根據權利要求1所述的電容，其特征在于，所述電容還包括導體沉積層，所述導體沉積層覆蓋于所述離子注入層上，且所述金屬層覆蓋于所述導體沉積層之上，所述導體沉積層包括等離子體沉積層和/或磁控濺射沉積層，所述等離子體沉積層通過等離子體沉積方法使導電材料離子沉積而形成；所述磁控濺射層通過磁控濺射方法使導電材料原子沉積而形成。

4.根據權利要求3所述的電容，其特征在于，所述等離子體沉積層和所述磁控濺射層均包括一層或多層導體材料，所述各層導體材料均通過一次或多次所述等離子體沉積或磁控濺射過程形成。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的電容，其特征在于，所述離子注入層的材料包括：Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb中的一種。

6.根據權利要求3或4所述的電容，其特征在于，所述導體沉積層的材料包括：Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb中的一種。

7.根據權利要求1-4中任一項所述的電容，其特征在于，所述金屬層的材料包括：由Al、Mn、Fe、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb中的一種。

8.根據權利要求1所述的電容，其特征在于，所述高介電常數聚合物復合材料層的聚合物樹脂包括環氧樹脂、BT樹脂、雙馬來酰亞胺、氰酸酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚偏氟乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚苯硫醚、耐高溫聚丙烯、聚2，6萘二酸乙二酯、聚酰亞胺、聚四氟乙烯、聚苯醚中的一種。

9.根據權利要求1所述的電容，其特征在于，所述高介電常數聚合物復合材料層的高介電常數顆粒包括無機陶瓷顆粒和/或導電粒子。

10.根據權利要求9所述的電容，其特征在于，所述無機陶瓷顆粒包括二氧化硅、鈦酸鋇、鈦酸鍶、鋯鈦酸鉛、鈦酸鉛鑭、鋯酸鉛鑭、鉭酸鍶鉍中的一種。

11.根據權利要求9所述的電容，其特征在于，所述導電粒子包括碳納米管、碳黑、石墨粉體、Al、Al2O3、Ag、Ni中的一種。

12.根據權利要求1-4中任一項所述的電容，其特征在于，所述金屬層通過電鍍、化學鍍、真空蒸發鍍中的一種而獲得。

13.根據權利要求1-4中任一項所述的電容，其特征在于，所述高介電常數聚合物復合材料層的厚度為8-25μm。

14.根據權利要求1-4中任一項所述的電容，其特征在于，所述電容為薄膜形式的電容。

15.一種埋電容電路板，其包括：

根據權利要求1-14中任一項所述的電容；以及

所述電容埋入其中的電路基板材料。