[實用新型]一種可降低酸耗的SCHMID刻蝕槽有效
| 申請號： | 201720853933.4 | 申請日： | 2017-07-14 |
| 公開（公告）號： | CN206961801U | 公開（公告）日： | 2018-02-02 |
| 發明（設計）人： | 周守亮;蘇世杰;顧峰 | 申請（專利權）人： | 通威太陽能（合肥）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/306;C23F1/08;C23F1/24 |
| 代理公司： | 昆明合眾智信知識產權事務所53113 | 代理人： | 張璽 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 schmid 刻蝕 | ||
【權利要求書】：
1.一種可降低酸耗的SCHMID刻蝕槽，包括槽體(1)，其特征在于：所述槽體(1)開口處水平設置有若干螺旋背拋滾輪(2)，且槽體(1)兩端的外側壁上分別活動設置有前擋板(3)和后擋板(4)；
所述槽體(1)下端設置有手動閥(5)，所述手動閥(5)與TANK槽(6)相連，且槽體(1)還連接有液位測試盒(7)。
2.根據權利要求1所述的一種可降低酸耗的SCHMID刻蝕槽，其特征在于：所述手動閥(5)設置有三個。
3.根據權利要求1所述的一種可降低酸耗的SCHMID刻蝕槽，其特征在于：所述槽體(1)的后擋板(4)外側設置有輸送滾輪(8)。
4.根據權利要求1所述的一種可降低酸耗的SCHMID刻蝕槽，其特征在于：所述前擋板(3)和后擋板(4)均為上下高度調節板。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
