[實用新型]前照式圖像傳感器

有效

• 申請號: 201720853122.4
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN207558795U
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 徐澤;李杰
• 申請（專利權）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種前照式圖像傳感器，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底形成有對應于像素單元的光電二極管區域；

形成于所述半導體襯底上的多層金屬互連層；

至少一層金屬互連層具有：形成于所述光電二極管區域上方的光密介質區域；位于所述光密介質區域周圍的金屬層；覆蓋所述金屬層及光密介質區域周圍的光疏介質區域。

2.根據權利要求1所述的前照式圖像傳感器，其特征在于，所述光密介質區域的截面形狀為正梯形或三角形。

3.根據權利要求1所述的前照式圖像傳感器，其特征在于，所述光密介質的折射率至少比所述光疏介質的折射率大15％以上。

4.根據權利要求1所述的前照式圖像傳感器，其特征在于，所述光密介質的材料為氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、二氧化鉿中的一種或其組合。

5.根據權利要求1所述的前照式圖像傳感器，其特征在于，所述光疏介質的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、二氧化鉿中的一種或其組合。

6.根據權利要求1所述的前照式圖像傳感器，其特征在于，所述半導體襯底上形成有2～4層金屬互連層。

7.根據權利要求1所述的前照式圖像傳感器，其特征在于，第一層金屬互聯層至次頂層金屬互連層還具有：形成于所述光疏介質區域中連接相鄰金屬互連層的通孔結構。

8.根據權利要求1所述的前照式圖像傳感器，其特征在于，所述光密介質區域的寬度小于等于所述光電二極管區域的寬度。