[實用新型]一種基于雙柵薄膜晶體管的多功能傳感器

有效

• 申請號: 201720841632.X
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN207095585U
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 王凱;李偉偉;馮肖
• 申請（專利權）人: 廣東順德中山大學卡內基梅隆大學國際聯合研究院;中山大學
• 主分類號: G01D5/12
• 分類號: G01D5/12;G01K7/34;G01L1/16
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司44100
• 代理人: 林玉芳

1.一種基于雙柵薄膜晶體管的多功能傳感器，其特征在于：

包括雙柵薄膜晶體管和在所述雙柵薄膜晶體管的頂柵極耦合的物理場中的一種或多種；

所述物理場包括光場、熱場、力場或磁場。

2.根據權利要求1所述的基于雙柵薄膜晶體管的多功能傳感器，其特征在于：

所述物理場為熱場和力場。

3.根據權利要求2所述的基于雙柵薄膜晶體管的多功能傳感器，其特征在于：

包括集成于同一柔性襯底并且相互獨立的至少兩個雙柵薄膜晶體管；

其中，至少一個所述雙柵薄膜晶體管的頂柵極表面設有極化的壓電材料或非極化的壓電材料；

所述壓電材料的表面還設有金屬材料。

4.根據權利要求3所述的基于雙柵薄膜晶體管的多功能傳感器，其特征在于：

所述壓電材料為聚偏氟乙烯PVDF。

5.根據權利要求3或4所述的基于雙柵薄膜晶體管的多功能傳感器，其特征在于：

所述雙柵薄膜晶體管與非極化的壓電材料、金屬材料形成溫度傳感器。

6.根據權利要求5所述的基于雙柵薄膜晶體管的多功能傳感器，其特征在于：

所述雙柵薄膜晶體管的頂柵極、非極化的壓電材料和金屬材料形成可變電容。

7.根據權利要求6所述的基于雙柵薄膜晶體管的多功能傳感器，其特征在于：

所述雙柵薄膜晶體管的源極接地。

8.根據權利要求3或4所述的基于雙柵薄膜晶體管的多功能傳感器，其特征在于：

所述雙柵薄膜晶體管與極化壓電材料、金屬材料形成壓力傳感器。

9.根據權利要求8所述的基于雙柵薄膜晶體管的多功能傳感器，其特征在于：

所述極化的壓電材料的頂層與雙柵薄膜晶體管的源極連接，并且接地。