[實用新型]InAs/GaSbⅡ類超晶格有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720838436.7 | 申請日： | 2017-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN207282503U | 公開（公告）日： | 2018-04-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 曹耀輝;陳建橋 | 申請（專利權）人： | 秦皇島博碩光電設備股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0352 | 分類號： | H01L31/0352;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙)11316 | 代理人： | 趙俊宏 |
| 地址： | 066000 河北省秦*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | inas gasb 晶格 | ||
【權利要求書】：
1.InAs/GaSbⅡ類超晶格，其特征在于，所述的InAs/GaSbⅡ類超晶格中單位晶胞內部InAs和GaSb的界面層是InSb層，單位晶胞結構為：InAs層、InSb層、GaSb層和GaAs層，InSb層在InAs層和GaSb層間，GaAs層在GaSb層外。
2.如權利要求1所述InAs/GaSbⅡ類超晶格，其特征在于，插入的所述的InSb層的厚度為InAs和GaSb形成的InSb界面層的1-3倍。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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