[實用新型]一種雙面發(fā)電的帶本征薄層異質(zhì)結(jié)電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720831713.1
• 申請日: 2017-07-07
• 公開（公告）號: CN207409506U
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李平;洪承健;張津燕;徐希翔;李沅民
• 申請（專利權(quán)）人: 君泰創(chuàng)新（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L31/075
• 分類號: H01L31/075;H01L31/0352;H01L31/0224
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 林桐苒;李丹

一種雙面發(fā)電的帶本征薄層異質(zhì)結(jié)電池，包括：由上到下依次層疊的正面銀柵線電極(1)、正面透明導(dǎo)電氧化物TCO層(2)、N型非晶硅層(3)、第一本征非晶硅層(41)、N型或P型單晶硅片(5)、第二本征非晶硅層(42)、P型非晶硅層(6)、第一反面TCO層(81)、銀透明導(dǎo)電薄膜(7)和第二反面TCO層(82)。通過本實用新型實施例的方案，采用第一反面TCO層(81)、銀透明導(dǎo)電薄膜(7)和第二反面TCO層(82)組成的TCO?Ag?TCO多層透明導(dǎo)電薄膜來替代反面TCO層和反面銀柵線電極，減少了低溫銀漿的用量，降低了成本，采用TCO?Ag?TCO多層透明導(dǎo)電薄膜來替代反面TCO層和反面銀柵線電極，由于背面沒有柵線的遮擋，從而提高了HIT電池的背面透光率和電流收集能力。

技術(shù)領(lǐng)域

本文涉及但不限于硅基太陽能電池領(lǐng)域，尤指一種雙面發(fā)電的帶本征薄層異質(zhì)結(jié)電池。

背景技術(shù)

光伏發(fā)電是一種公認(rèn)的清潔能源，近年光伏發(fā)電得到國家政策的大力扶持。尤其是在高效太陽能電池領(lǐng)域，硅基高效帶本征薄層異質(zhì)結(jié)(HIT或HJT， Heterojunction withIntrinsic Thin-layer)電池因其具有光電轉(zhuǎn)換效率高、溫度系數(shù)低、無光衰、弱光性好等優(yōu)勢，受到國內(nèi)外的高度重視，且雙面發(fā)電的HIT電池在實際應(yīng)用中可以高出普通光伏電池(如晶硅電池)12％-30％的發(fā)電量，是降低度電成本的核心技術(shù)之一。

目前主流的雙面發(fā)電的HIT電池，采用預(yù)制有金字塔絨面的單晶硅片為核心，分別在單晶硅片的正面和反面沉積本征非晶硅鈍化層，在正面本征非晶硅鈍化層沉積N型非晶硅層，在反面本征非晶硅鈍化層沉積P型非晶硅層，之后在N型非晶硅層上制備正面透明導(dǎo)電氧化物(TCO，Transparent Conductive Oxide)層，在P型非晶硅層上制備反面TCO層，最后在正面TCO 層上印刷正面銀柵線電極，在反面TCO層上印制反面銀柵線電極。

上述雙目面發(fā)電的HIT電池中，由于TCO層的銦錫氧化物(ITO，Indium Tin Oxide)和銀柵線電極的低溫銀漿用量都較大(銀柵線電極需要通過將銀單質(zhì)的漿料經(jīng)過絲網(wǎng)印制而成，且銀柵線電極的厚度一般為微米級，導(dǎo)致銀漿消耗較多)，導(dǎo)致HIT成本較高，且反面銀柵線電極遮擋太陽能吸收的面積，使得HIT電池的背面透光率和電流收集能力較差。

實用新型內(nèi)容

本實用新型實施例提出了一種雙面發(fā)電的帶本征薄層異質(zhì)結(jié)電池，能夠減少ITO和低溫銀漿的用量，從而提高HIT電池的背面透光率和電流收集能力，且降低成本。

本實用新型實施例提出了一種雙面發(fā)電的帶本征薄層異質(zhì)結(jié)電池，包括：

由上到下依次層疊的正面銀柵線電極1、正面透明導(dǎo)電氧化物TCO層2、 N型非晶硅層3、第一本征非晶硅層41、N型或P型單晶硅片5、第二本征非晶硅層42、P型非晶硅層6、第一反面TCO層81、銀透明導(dǎo)電薄膜7和第二反面TCO層82。

可選的，所述正面TCO層2為銦錫氧化物ITO層。

可選的，所述第一反面TCO層81或所述第二反面TCO層82為以下任意一種：

鋁摻雜氧化鋅AZO層、ITO層、摻氟的氧化錫FTO層。

可選的，所述正面TCO層2的厚度為5～80納米nm。

可選的，所述N型非晶硅層3的厚度為1～20nm。

可選的，所述第一本征非晶硅層41或所述第二本征非晶硅層42的厚度為1～20nm。

可選的，所述N型或P型單晶硅片5的厚度為70～300微米μm。

可選的，所述P型非晶硅層6的厚度為1～20nm。

可選的，所述第一反面TCO層81或所述第二反面TCO層82的厚度為 1～80nm。