[實(shí)用新型]過(guò)壓保護(hù)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720826731.0 | 申請(qǐng)日： | 2017-07-07 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN207039165U | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-02-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市英蓓特科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H02H3/20 | 分類號(hào)： | H02H3/20 |
| 代理公司： | 深圳市瑞方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44314 | 代理人： | 張約宗,紀(jì)媛媛 |
| 地址： | 518054 廣東省深圳市南山區(qū)桃源街*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 保護(hù) 電路 | ||
1.一種過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于，包括
電源輸入端子(10)，接入輸入電壓；
穩(wěn)壓電路(20)，與所述電源輸入端子(10)相連接，根據(jù)所述輸入電壓超過(guò)一過(guò)壓閾值與否、選擇性地將所述輸入電壓穩(wěn)壓，并輸出一穩(wěn)壓信號(hào)；
過(guò)壓開(kāi)關(guān)電路(30)，與所述穩(wěn)壓電路(20)相連接，根據(jù)所述穩(wěn)壓信號(hào)超過(guò)一導(dǎo)通閾值與否、選擇性地進(jìn)行導(dǎo)通，并發(fā)出一開(kāi)關(guān)信號(hào)；
關(guān)斷電路(40)，與所述過(guò)壓開(kāi)關(guān)電路(30)相連接，根據(jù)所述開(kāi)關(guān)信號(hào)超過(guò)一關(guān)斷閾值與否、選擇性地關(guān)斷后端電路(50)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于，
所述穩(wěn)壓電路(20)包括相互串聯(lián)的穩(wěn)壓管(D6)和限流電阻(R64)，所述限流電阻(R64)一端連接所述穩(wěn)壓管(D6)負(fù)極，另一端連接所述電源輸入端子(10)從而接入所述輸入電壓；所述穩(wěn)壓管(D6)正極接地；
所述過(guò)壓開(kāi)關(guān)電路(30)包括三極管(Q2)，所述三極管(Q2)基極連接所述穩(wěn)壓管(D6)負(fù)極從而接入所述穩(wěn)壓信號(hào)，發(fā)射極連接電源，集電極接地；
所述關(guān)斷電路(40)包括MOS管(Q1)，所述MOS管(Q1)源極、柵極分別連接所述三極管(Q2)發(fā)射極、集電極并接入所述開(kāi)關(guān)信號(hào)，所述MOS管(Q1)漏極連接所述后端電路(50)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于，所述穩(wěn)壓電路(20)還包括一并聯(lián)在所述穩(wěn)壓管(D6)和所述限流電阻(R64)兩端的耦合電容(C31)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于，所述過(guò)壓開(kāi)關(guān)電路(30)還包括第一電阻(R65)，所述三極管(Q2)基極連接所述第一電阻(R65)，并通過(guò)所述第一電阻(R65)連接所述穩(wěn)壓管(D6)負(fù)極，所述三極管(Q2)為PNP型三極管(Q2)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于，所述關(guān)斷電路(40)還包括一偏置電阻(R66)，所述偏置電阻(R66)一端連接所述MOS管(Q1)源極，另一端連接所述MOS管(Q1)柵極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于，所述關(guān)斷電路(40)還包括一交流補(bǔ)償電容(C32)，所述交流補(bǔ)償電容(C32)并聯(lián)在所述偏置電阻(R66)兩端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于，所述關(guān)斷電路(40)還包括一防反灌開(kāi)關(guān)管(D7)，所述防反灌開(kāi)關(guān)管(D7)正極連接所述三極管(Q2)集電極，負(fù)極連接所述MOS管(Q1)柵極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于，所述關(guān)斷電路(40)還包括第二電阻(R69)，所述MOS管(Q1)柵極通過(guò)所述第二電阻(R69)接地。
9.根據(jù)權(quán)利要求2-8任一項(xiàng)所述的過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于，所述MOS管(Q1)包括兩個(gè)源極、五個(gè)漏極，所述MOS管(Q1)為PMOS管。
10.根據(jù)權(quán)利要求2-8任一項(xiàng)所述的過(guò)壓保護(hù)電路，其特征在于，所述關(guān)斷電路(40)還包括一與所述MOS管(Q1)相連接、用于發(fā)散功耗的散熱片。
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