[實用新型]一種卷繞電芯片、卷繞電芯與電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720817902.3
• 申請日: 2017-07-06
• 公開（公告）號: CN207097936U
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林國棟;張松嶺;周宇超;田亮;趙盛宇;溫燕修;宋玉立;劉嵐?jié)?/a>
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市海目星激光科技有限公司
• 主分類號: H01M2/26
• 分類號: H01M2/26;H01M10/04;H01M6/00
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司44205
• 代理人: 謝岳鵬

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及電池領(lǐng)域，尤其是涉及一種電芯片，該電芯片在卷繞成電芯后可以保證極耳相互重疊，本實用新型還涉及一種應(yīng)用上述電芯片的電池。

背景技術(shù)

在電池的生成過程中，電芯片通過卷繞工藝形成電芯，其中電芯片上的極耳重疊以形成電芯的正極或者負極。極耳的間距精度可以通過加工精度保證，但是受卷繞精度的影響，極耳會隨著卷繞而在指定位置偏移，同時現(xiàn)有技術(shù)中極耳的寬度相等(參照說明書附圖1)，這將導(dǎo)致極耳可能會出現(xiàn)無法完全重疊的問題(參照說明書附圖2)，進而導(dǎo)致重疊的極耳達不到集流體的要求，影響電芯的充放電性能。

實用新型內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型提供一種卷繞電芯片，以解決現(xiàn)有極耳無法完全重疊的問題。

本實用新型還提供了應(yīng)用上述卷繞電芯片的卷繞電芯與電池。

本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

一種卷繞電芯片，包括基片以及沿基片長度方向設(shè)于基片上的若干極耳，沿基片的長度方向，極耳的寬度逐步收窄。

作為上述方案的進一步改進方式，相鄰極耳的中心距相等。

一種卷繞電芯，包括上述卷繞電芯片，卷繞電芯片以最窄的極耳為中心卷繞，以使依次變寬的各極耳按照從內(nèi)至外順序重疊，且位于內(nèi)層的極耳不超出與之相鄰且位于外層的極耳的寬度范圍。

作為上述方案的進一步改進方式，包括兩片卷繞電芯片，該兩片卷繞電芯片分別作為正極電芯片與負極電芯片，正極電芯片與負極電芯片沿長度方向錯開再同步卷繞，正極電芯片上的極耳重疊形成正極，負極電芯片上的極耳重疊形成負極。

一種電池，包括上述卷繞電芯。

本型的有益效果是：

通過設(shè)置沿基片方向逐步收窄的多個極耳，保證即使極耳在卷繞過程中發(fā)生偏移，也可以避免位于內(nèi)層的極耳超出與之相鄰且位于其外層的極耳的寬度范圍，從而實現(xiàn)各極耳的完全重疊，保證電芯的充放電性能。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中電芯片的正視圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中電芯的立體示意圖；

圖3是現(xiàn)有技術(shù)中電芯的俯視圖(隱藏基片部分)；

圖4是本實用新型卷繞電芯片一個實施例的正視圖；

圖5是本實用新型卷繞電芯一個實施例的立體示意圖；

圖6是本實用新型卷繞電芯的俯視圖(隱藏基片部分)。

具體實施方式

以下將結(jié)合實施例和附圖對本實用新型的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果進行清楚、完整的描述，以充分地理解本實用新型的目的、方案和效果。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

需要說明的是，如無特殊說明，當(dāng)某一特征被稱為“固定”、“連接”在另一個特征，它可以直接固定、連接在另一個特征上，也可以間接地固定、連接在另一個特征上。此外，本實用新型中所使用的上、下、左、右、前、后等描述僅僅是相對于附圖中本實用新型各組成部分的相互位置關(guān)系來說的。

此外，除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例，而不是為了限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的組合。

參照圖1，示出了現(xiàn)有技術(shù)中電芯片的示意圖。如圖所示，現(xiàn)有的電芯片包括基片1以及沿基片1長度方向設(shè)于基片1上的若干極耳2，其中各極耳2的寬度相等。由于電芯片在卷繞過程中的卷繞精度會受諸多因素影響(比如電芯片彎曲部位的變形量，重疊部分的間隙等)，難以保證精度，因此卷繞后的電芯很容易出現(xiàn)如圖2、圖3所示的情況，即極耳因左右偏移而無法完全重疊，導(dǎo)致重疊的極耳達不到集流體的要求，影響電芯的充放電性能。

基于此，本實用新型公開了一種卷繞電芯片，參照圖4，示出了本實用新型卷繞電芯片一個實施例的示意圖。如圖所示，本實用新型中的電芯片同樣包括基片1與極耳2，其與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別包括：沿基片1的長度方向，極耳2的寬度逐步收窄。

進一步的，相鄰極耳2的中心距相等。