[實用新型]GaN-HEMT功放管柵極漏極加電時序保護偏置電路

有效

• 申請號: 201720804521.1
• 申請日: 2017-07-05
• 公開（公告）號: CN207529257U
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發明（設計）人: 陶濤
• 申請（專利權）人: 南京樸與誠電子科技有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 李靜

1.一種GaN-HEMT功放管柵極漏極加電時序保護偏置電路，其特征在于：包括柵極漏極加電時序保護模塊(1)、柵極正負壓轉換模塊(2)、用于調節柵極正負壓轉換模塊(2)的輸出電壓的電壓調節模塊(3)以及用于給功放管提供穩定柵壓的電壓跟隨器(4)；所述柵極正負壓轉換模塊(2)通過一負壓穩壓芯片將柵極漏極加電時序保護模塊(1)的輸入正電壓轉換為負電壓，并通過RC電路進行濾波；所述負壓穩壓芯片的REG管腳為柵極提供TTL高電平信號，該REG管腳的輸出信號通過一NPN三極管、一N溝道MOSFET和一P溝道MOSFET對漏壓加電進行控制；當柵極電源負壓輸出不正常時，REG給出高電平，P溝道MOSFET關斷，漏極不上電；柵極電源負壓輸出正常時，REG管腳給出低電平，P溝道MOSFET導通，漏極上電。

2.根據權利要求1所述的柵極漏極加電時序保護偏置電路，其特征在于：所述負壓穩壓芯片采用LTC1261CS8-4。

3.根據權利要求1所述的柵極漏極加電時序保護偏置電路，其特征在于：所述電壓調節模塊(3)采用運放LM7321MF。

4.根據權利要求1所述的柵極漏極加電時序保護偏置電路，其特征在于：所述電壓調節模塊(3)使用貼片電位器和分壓電阻對柵極正負壓轉換模塊(2)的輸出電壓進行調節；其中，分壓電阻R8和R10對電壓進行粗調，貼片電位器R13對電壓進行細調。

5.根據權利要求1所述的柵極漏極加電時序保護偏置電路，其特征在于：所述電壓調節模塊(3)包括一用于進行負壓輸出指示的發光二極管D1。

6.根據權利要求1所述的柵極漏極加電時序保護偏置電路，其特征在于：所述NPN三極管為MBT3904。

7.根據權利要求1所述的柵極漏極加電時序保護偏置電路，其特征在于：所述N溝道MOSFET為TN2404K。

8.根據權利要求1所述的柵極漏極加電時序保護偏置電路，其特征在于：所述P溝道MOSFET為IRFR5305。

9.根據權利要求8所述的柵極漏極加電時序保護偏置電路，其特征在于：所述IRFR5305的導通電阻為0.060-0.070Ω。