[實用新型]一種CSP封裝的高壓LED芯片結構

有效

• 申請號: 201720803660.2
• 申請日: 2017-07-05
• 公開（公告）號: CN207116432U
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發明（設計）人: 熊德平;王成民;何苗;趙韋人;馮祖勇;陳麗;雷亮
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/14;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/46;H01L33/00
• 代理公司: 廣東廣信君達律師事務所44329
• 代理人: 楊曉松

1.一種CSP封裝的高壓LED芯片結構，包括高壓LED芯片、熒光膠、封裝基板，其特征在于，所述LED高壓芯片倒裝焊接在封裝基板上，每個高壓芯片包含多個子芯片，各子芯片通過隔離深溝槽隔開，所述每個子芯片包含n型GaN層、有源層、p型GaN層、電流擴展層以及n電極和p電極，其中n電極通過金屬導電層延伸到n型GaN斜坡上，此金屬導電層通過絕緣層與p型GaN和有源層側壁隔離；所述n電極和p電極均位于p型GaN上面并電隔離，n電極和p電極與封裝基板對應電極焊盤和互聯線焊接起來。

2.根據權利要求1所述的CSP封裝的高壓LED芯片結構，其特征在于所述n電極、p電極以及金屬導電層采用Ag、Al、Ni三種導電性和反射性能都較好的金屬，其采用單層金屬結構或多層金屬結構。

3.根據權利要求1所述的CSP封裝的高壓LED芯片結構，其特征在于所述電流擴散層可以是ITO薄膜，也可以是金屬薄膜。

4.根據權利要求1所述的CSP封裝的高壓LED芯片結構，其特征在于所述絕緣層可以是氮化硅、氧化硅或氮化鋁材料組成，也可以是這些材料組合的DBR結構。

5.根據權利要求1所述的CSP封裝的高壓LED芯片結構，其特征在于剝離襯底后在n型GaN上噴涂形成熒光粉和保護膠層。