[實用新型]具有接觸層的發光二極管

有效

• 申請號: 201720802428.7
• 申請日: 2017-07-04
• 公開（公告）號: CN207082541U
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發明（設計）人: 李熙燮;崔承奎;金材憲
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/02;H01L33/20;H01L33/60;H01L33/00;H01L33/62
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 孫昌浩,李盛泉

技術領域

本實用新型涉及一種發光二極管，尤其涉及一種可通過簡單的工藝而形成接觸層的發光二極管。

背景技術

通常，如氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)等的III族元素的氮化物的熱穩定性優秀且具有直接遷移型的能帶(band)結構，因此近來作為可見光及紫外線區域的光源用物質而受到較多的關注。尤其，利用氮化銦鎵(InGaN)的藍色及綠色發光二極管被應用于大規模天然色平板顯示裝置、信號燈、室內照明、高密度光源、高分辨率輸出系統及光通信等多樣的應用領域。

發光二極管包括n型半導體層、p型半導體層及夾設于其間的活性層。為了注入電子和空穴，在n型半導體層和p型半導體層金屬接觸層。但是，歐姆接觸于n型半導體層和p型半導體層的物質層互不相同，因此利用專門的工藝分別形成接觸層。因此，發光二極管的制造工藝變得復雜，進而，發光二極管的芯片結構也變得復雜。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種可通過更加簡單的工藝形成接觸層的發光二極管及其制造方法。

本實用新型所要解決的另一技術問題在于提供一種可靠性優秀的發光二極管及其制造方法。

根據本實用新型的實施例，提供如下的發光二極管，包括：下部n型半導體層；上部n型半導體層，布置于所述下部n型半導體層上部；p型半導體層，夾設于所述下部n型半導體層與上部n型半導體層之間；活性層，夾設于所述下部n型半導體層與所述p型半導體層之間；高濃度p型半導體層，夾設于所述p型半導體層與所述上部n型半導體層之間，并以比所述p型半導體層高的濃度摻雜；高濃度n型半導體層，夾設于所述高濃度p型半導體層與所述上部n型半導體層之間，并以比所述上部n型半導體層高的濃度摻雜；第一接觸層，與所述下部n型半導體層接觸；以及第二接觸層，與所述上部n型半導體層接觸，其中，所述第一接觸層和第二接觸層包括與所述下部n型半導體層和上部n型半導體層接觸的相同物質層。

優選地，所述相同物質層為Al層。

優選地，所述p型半導體層包括電子阻擋層。

優選地，在所述高濃度p型半導體層與所述高濃度n型半導體層之間的界面夾設有氧。

優選地，還包括：絕緣層，覆蓋所述上部n型半導體層、所述第一接觸層及第二接觸層，并具有暴露所述第一接觸層和第二接觸層的開口部；以及第一電極焊盤和第二電極焊盤，布置于所述絕緣層上，并通過所述開口部分別電連接于所述第一接觸層和第二接觸層。

優選地，暴露所述第一接觸層的開口部和暴露第二接觸層的開口部在彼此相向的所述下部n型半導體層的邊緣部位附近分開布置。

優選地，夾設于所述第一電極焊盤與所述第一接觸層之間的絕緣層是與夾設于所述第二電極焊盤與所述第二接觸層之間的絕緣層相同的物質層。

優選地，所述絕緣層是將折射率互不相同的介電層重復層疊的分布式布拉格反射器。

優選地，還包括多個臺面，所述多個臺面分別包括所述活性層、p型半導體層、高濃度p型半導體層、高濃度n型半導體層及上部n型半導體層，所述第一接觸層以包圍各個所述臺面的方式與所述下部n型半導體層接觸，

所述第二接觸層布置于各個所述臺面上。

優選地，所述絕緣層在各個所述臺面上具有暴露所述第二接觸層的開口部。

優選地，還包括基板，所述下部n型半導體層布置于所述基板上。

根據本實用新型的又一實施例，提供如下的發光二極管的制造方法，包括如下步驟：使下部n型半導體層在基板上生長；使活性層在所述n型半導體層上生長；使p型半導體層在所述活性層上生長；使比所述p型半導體層更高濃度的高濃度p型半導體層在所述p型半導體層上生長；使比所述下部n型半導體層更高濃度的高濃度n型半導體層在所述高濃度p型半導體層上生長；使上部n型半導體層在所述高濃度n型半導體層上生長；蝕刻所述上部n型半導體層、所述高濃度n型半導體層、所述高濃度p型半導體層、所述p型半導體層及活性層而暴露所述下部n型半導體層；以及在暴露的所述下部n型半導體層和所述上部n型半導體層上分別形成第一接觸層和第二接觸層，其中，利用相同的物質通過相同的工藝形成所述第一接觸層和第二接觸層。

優選地，在使所述高濃度p型半導體層生長之后，在使所述高濃度n型半導體層生長之前，還包括使所述高濃度p型半導體層暴露于大氣中的步驟。