[實(shí)用新型]開關(guān)電源電感的電流過零檢測(cè)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720792343.5
• 申請(qǐng)日: 2017-07-03
• 公開（公告）號(hào): CN206948183U
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳后鵬;苗杰;胡佳俊;王倩;李喜;宋志棠;雷宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): H02M3/156
• 分類號(hào): H02M3/156;G01R19/175
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙)31219
• 代理人: 余明偉

1.一種開關(guān)電源電感的電流過零檢測(cè)電路，其特征在于，所述開關(guān)電源電感的電流過零檢測(cè)電路至少包括：

第一電流采樣模塊，用于獲取充磁電壓的采樣電流，記為第一采樣電流，所述充磁電壓為線電壓；

第二電流采樣模塊，用于獲取退磁電壓的采樣電流，記為第二采樣電流，所述退磁電壓為線電壓與輸出電壓的差值；

第一檢測(cè)電壓產(chǎn)生模塊，連接于所述第一電流采樣模塊的輸出端，并接收占空比導(dǎo)通信號(hào)，用于產(chǎn)生第一檢測(cè)電壓，所述第一檢測(cè)電壓與所述充磁電壓和占空比導(dǎo)通時(shí)間之積成正比；

第二檢測(cè)電壓產(chǎn)生模塊，連接于所述第一電流采樣模塊及所述第二電流采樣模塊的輸出端，并接收占空比導(dǎo)通信號(hào)及占空比截止信號(hào)，分別產(chǎn)生與所述充磁電壓和所述占空比導(dǎo)通時(shí)間之積成正比的第一電壓及與所述退磁電壓和占空比截止時(shí)間之積成正比的第二電壓，所述第一電壓及所述第二電壓疊加以產(chǎn)生第二檢測(cè)電壓；

死區(qū)脈沖產(chǎn)生電路，連接于所述導(dǎo)通電壓檢測(cè)模塊及所述截止電壓檢測(cè)模塊的輸出端，對(duì)所述第一檢測(cè)電壓及所述第二檢測(cè)電壓進(jìn)行比較，以得到所述充磁電壓和所述占空比導(dǎo)通時(shí)間之積與所述退磁電壓和所述占空比截止時(shí)間之積的差值，當(dāng)所述第一檢測(cè)電壓小于所述第二檢測(cè)電壓時(shí)輸出死區(qū)脈沖信號(hào)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)電源電感的電流過零檢測(cè)電路，其特征在于：所述第一電流采樣模塊接收線電壓的采樣信號(hào)，并將所述線電壓的采樣信號(hào)通過第一電阻轉(zhuǎn)化為電流信號(hào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的開關(guān)電源電感的電流過零檢測(cè)電路，其特征在于：所述第一電流采樣模塊包括：第一電阻、第一電壓跟隨器、第一PMOS管及第二PMOS管；

所述第一電壓跟隨器接收所述線電壓的采樣信號(hào)；

所述第一電阻的一端接地，另一端連接所述第一電壓跟隨器的第一輸出端；

所述第一PMOS管的漏端連接所述第一電壓跟隨器的第二輸出端、柵端連接偏置電壓、源端連接所述第二PMOS管的漏端；

所述第二PMOS管的源端連接電源、柵端連接所述第一PMOS管的漏端并作為所述第一電流采樣模塊的輸出端。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)電源電感的電流過零檢測(cè)電路，其特征在于：所述第二電流采樣模塊接收所述線電壓的采樣信號(hào)和所述輸出電壓的采樣信號(hào)，并將所述線電壓的采樣信號(hào)和所述輸出電壓的采樣信號(hào)的差值在第二電阻上轉(zhuǎn)化為電流信號(hào)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的開關(guān)電源電感的電流過零檢測(cè)電路，其特征在于：所述第二電流采樣模塊包括：第二電壓跟隨器、第三電壓跟隨器、第二電阻、第三PMOS管及第四PMOS管；

所述第二電壓跟隨器接收所述線電壓的采樣信號(hào)；

所述第三電壓跟隨器接收所述輸出電壓的采樣信號(hào)；

所述第二電阻連接于所述第二電壓跟隨器的輸出端與所述第三電壓跟隨器的輸出端之間；

所述第三PMOS管的漏端連接所述第三電壓跟隨器的輸出端、柵端連接偏置電壓、源端連接所述第四PMOS管的漏端；

所述第四PMOS管的源端連接電源、柵端連接所述第三PMOS管的漏端并作為所述第二電流采樣模塊的輸出端。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)電源電感的電流過零檢測(cè)電路，其特征在于：所述第一檢測(cè)電壓產(chǎn)生模塊利用所述第一采樣電流在所述占空比導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)對(duì)第一電容充電以獲得所述第一檢測(cè)電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的開關(guān)電源電感的電流過零檢測(cè)電路，其特征在于：所述第一檢測(cè)電壓產(chǎn)生模塊包括：第一電容、第一開關(guān)、第五PMOS管及第六PMOS管；

所述第一電容的下極板接地、上極板連接所述第一開關(guān)的一端；

所述第一開關(guān)的另一端連接所述第五PMOS管的漏端，所述第一開關(guān)受所述占空比導(dǎo)通信號(hào)的控制閉合；

所述第五PMOS管的源端連接所述第六PMOS管的漏端、柵端連接偏置電壓；

所述第六PMOS管的源端連接電源、柵端連接所述第一電流采樣模塊的輸出端。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)電源電感的電流過零檢測(cè)電路，其特征在于：所述第二檢測(cè)電壓產(chǎn)生模塊利用所述第一采樣電流在所述占空比導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)對(duì)第二電容充電，利用所述第二采樣電流在所述占空比截止時(shí)間內(nèi)對(duì)所述第二電容充電，通過兩次充電電壓的疊加獲得所述第二檢測(cè)電壓。