[實(shí)用新型]CMOS兩級(jí)運(yùn)算放大電路、芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720789517.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN206835055U | 公開(公告)日: | 2018-01-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 聶海;宋登明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 成都市海芯微納電子科技有限公司;成都信息工程大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H03F3/45 | 分類號(hào): | H03F3/45;H03F3/16 |
| 代理公司: | 北京華智則銘知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11573 | 代理人: | 陳向敏 |
| 地址: | 610093 四川*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | cmos 兩級(jí) 運(yùn)算 放大 電路 芯片 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種CMOS兩級(jí)運(yùn)算放大電路、芯片。
背景技術(shù)
在集成電路設(shè)計(jì)中,運(yùn)算放大器是搭建復(fù)雜電路和擴(kuò)充電路功能不可或缺的電路結(jié)構(gòu),高性能的運(yùn)算放大器更是目前很多設(shè)計(jì)人員的研究方向。
然而,運(yùn)算放大器的性能指標(biāo)之間是相互制約的,往往在提高增益的同時(shí),避免不了要犧牲一部分頻率特性,同時(shí),其輸出阻抗往往也不高。
實(shí)用新型內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題,本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種CMOS兩級(jí)運(yùn)算放大電路、芯片。所述技術(shù)方案如下:
一方面,提供了一種CMOS兩級(jí)運(yùn)算放大電路,包括帶隙基準(zhǔn)源電路、第一級(jí)運(yùn)算放大電路、偏置電路、反相器電路和第二級(jí)運(yùn)算放大電路,其中,所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路采用折疊式共源共柵放大器結(jié)構(gòu),所述偏置電路采用NMOS管和電阻串聯(lián)的結(jié)構(gòu),所述第二級(jí)運(yùn)算放大電路采用以NMOS管作為輸入的電流源負(fù)載共源級(jí)放大器;
所述帶隙基準(zhǔn)源電路與所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路連接,用于向所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路提供與絕對(duì)溫度成比例的電流;
所述偏置電路分別向與其連接的所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路和所述反相器電路提供偏置電壓;
所述反相電路與所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路的輸出端連接,用于將所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路輸出的雙端信號(hào)轉(zhuǎn)換成單端信號(hào),并將所述單端信號(hào)輸出至所述第二級(jí)運(yùn)算放大電路。
進(jìn)一步的,所述與絕對(duì)溫度成比例的電流,由所述帶隙基準(zhǔn)源電路中的三極管產(chǎn)生的具有正溫度系數(shù)電流流經(jīng)由PMOS管構(gòu)成的電流鏡結(jié)構(gòu)產(chǎn)生。
進(jìn)一步的,所述反相器電路采用PMOS管作為輸入端。
進(jìn)一步的,所述第二級(jí)運(yùn)算放大電路采用NMOS管作為輸入端。
另一方面,提供了一種芯片,包括芯片本體和所述的CMOS兩級(jí)運(yùn)算放大電路。
本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
第一運(yùn)算放大電路采用折疊式共源共柵運(yùn)算放大器,獲得足夠大的開環(huán)增益,進(jìn)而具有非常好的頻率特性和高的輸出阻抗,同時(shí),利用帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)為后級(jí)電路提供穩(wěn)定的輸入信號(hào),進(jìn)而保證后級(jí)電路正常工作。
附圖說明
為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種CMOS兩級(jí)運(yùn)算放大電路示意圖;
圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種帶隙基準(zhǔn)源電路圖;
圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種第一級(jí)運(yùn)算放大電路圖;
圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種偏置電路圖;
圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種反相器電路圖;
圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種第二級(jí)運(yùn)算放大電路圖;
圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種CMOS兩級(jí)運(yùn)算放大電路圖;
圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種CMOS兩級(jí)運(yùn)算放大電路的增益與相位曲線。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
實(shí)施例一
本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種CMOS兩級(jí)運(yùn)算放大電路,參見圖1,包括帶隙基準(zhǔn)源電路10、第一級(jí)運(yùn)算放大電路20、偏置電路30、反相器電路40和第二級(jí)運(yùn)算放大電路50,其中,所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路20采用折疊式共源共柵放大器結(jié)構(gòu),所述偏置電路30采用NMOS管和電阻串聯(lián)的結(jié)構(gòu),所述第二級(jí)運(yùn)算放大電路50采用以NMOS管作為輸入的電流源負(fù)載共源級(jí)放大器;
所述帶隙基準(zhǔn)源電路10與所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路20連接,用于向所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路20提供與絕對(duì)溫度成比例的電流;
所述偏置電路30分別向與其連接的所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路20和所述反相器電路40提供偏置電壓;
所述反相電路與所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路20的輸出端連接,用于將所述第一級(jí)運(yùn)算放大電路20輸出的雙端信號(hào)轉(zhuǎn)換成單端信號(hào),并將所述單端信號(hào)輸出至所述第二級(jí)運(yùn)算放大電路50。
在本實(shí)施例中,所述與絕對(duì)溫度成比例的電流由所述帶隙基準(zhǔn)源電路10中的三極管產(chǎn)生的具有正溫度系數(shù)電流流經(jīng)由PMOS管構(gòu)成的電流鏡結(jié)構(gòu)產(chǎn)生。
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