[實用新型]一種SIW縫隙串饋陣列天線系統

有效

• 申請號: 201720788040.6
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN207303352U
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 李霞;胡衛東;朱熙鋮;孫浩;高靜
• 申請（專利權）人: 安徽四創電子股份有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q13/10;H01Q15/14;H01Q21/28
• 代理公司: 合肥和瑞知識產權代理事務所(普通合伙)34118
• 代理人: 王挺

1.一種SIW縫隙串饋陣列天線系統，包括發射天線(1)和接收天線(2)，其特征在于：所述發射天線(1)和接收天線(2)之間設有反射結構(3)；所述發射天線(1)和接收天線(2)的結構完全相同，發射天線(1)和接收天線(2)所在的介質板Ⅰ(4)、反射結構(3)所在的介質板Ⅱ(5)處在同一平面上，且發射天線(1)和接收天線(2)對稱地布置在反射結構(3)的兩側，所述發射天線(1)、接收天線(2)和反射結構(3)均在長度方向上相互平行，所述反射結構(3)的長度不小于發射天線(1)和接收天線(2)的長度。

2.根據權利要求1所述的一種SIW縫隙串饋陣列天線系統，其特征在于：所述發射天線(1)和接收天線(2)的天線層均位于介質板Ⅰ(4)的正面，發射天線(1)和接收天線(2)的金屬地層均位于介質板Ⅰ(4)的背面；所述發射天線(1)和接收天線(2)均包括多個輻射縫隙(11)、多個金屬化通孔Ⅰ(12)和一個傳輸端口(13)；同一天線內，設天線沿其長度方向的中心線為其軸線，相鄰的兩個輻射縫隙(11)左右交替地設置在軸線的兩側，相鄰的兩個輻射縫隙(11)在軸線方向上的中心距離相等，位于軸線兩側的輻射縫隙(11)距離軸線的距離均相等；同一天線內，多個金屬化通孔Ⅰ(12)將多個輻射縫隙(11)圍成半包圍狀，多個金屬化通孔Ⅰ(12)由兩列金屬化通孔Ⅰ(12)和一行金屬化通孔Ⅰ(12)組成，兩列金屬化通孔Ⅰ(12)均平行于軸線且對稱設置在軸線的兩側，一行金屬化通孔Ⅰ(12)設置在天線軸線方向遠離傳輸端口(13)的一端，一行金屬化通孔Ⅰ(12)將兩列金屬化通孔Ⅰ(12)銜接成半包圍狀，所述傳輸端口(13)位于天線軸線方向的另一端。

3.根據權利要求2所述的一種SIW縫隙串饋陣列天線系統，其特征在于：所述傳輸端口(13)設置在發射天線(1)和接收天線(2)的遠離一行金屬化通孔Ⅰ(12)的一端，且所述傳輸端口(13)設置在兩列金屬化通孔Ⅰ(12)的之間；所述傳輸端口(13)為尖劈結構，其在介質板Ⅰ(4)的正面設置有正面直角三角形區域，在介質板Ⅰ(4)的背面設置有背面直角三角形區域，正面直角三角形區域的一條直角邊和背面直角三角形區域的一條直角邊均與介質板Ⅰ(4)的底邊邊緣重合，且正面直角三角形區域的一條直角邊和背面直角三角形區域的一條直角邊在介質板Ⅰ(4)的正面上沿介質板Ⅰ(4)厚度方向的投影重合，正面直角三角形區域和背面直角三角形區域關于天線軸線對稱；所述正面直角三角形區域和背面直角三角形區域在沿介質板Ⅰ(4)的厚度方向投影相交的部分呈鏤空狀。

4.根據權利要求3所述的一種SIW縫隙串饋陣列天線系統，其特征在于：所述介質板Ⅰ(4)的正面和背面上，在多個輻射縫隙(11)、多個金屬化通孔Ⅰ(12)、傳輸端口(13)的正面直角三角形區域和背面直角三角形區域之外的位置上均經覆銅處理；金屬化通孔Ⅰ(12)的洞壁材質為銅金屬，其將介質板Ⅰ(4)的正面的覆銅區域和背面的覆銅區域連接成整體。

5.根據權利要求2或3或4所述的一種SIW縫隙串饋陣列天線系統，其特征在于：所述反射結構(3)在其介質板Ⅱ(5)的正面為一個矩形非覆銅區域，所述非覆銅區域內均勻地設有多個金屬貼片(31)，多個金屬貼片(31)呈矩陣狀，每個金屬貼片(31)上設有貫穿金屬貼片(31)和介質板Ⅱ(5)的金屬化通孔Ⅱ(32)，介質板Ⅱ(5)的背面在金屬化通孔Ⅱ(32)之外的位置上均經覆銅處理。

6.根據權利要求5所述的一種SIW縫隙串饋陣列天線系統，其特征在于：多個所述金屬貼片(31)形成一個長度不小于發射天線(1)和接收天線(2)的長度的矩形區域，兩個相鄰的金屬貼片(31)之間的間距均相等，金屬化通孔Ⅱ(32)位于金屬貼片的正中心；所述金屬貼片(31)的材質和金屬化通孔Ⅱ(32)的洞壁材質均為銅金屬，金屬化通孔Ⅱ(32)將金屬貼片(31)和介質板Ⅱ(5)背面的覆銅區域連接成整體。

7.根據權利要求6所述的一種SIW縫隙串饋陣列天線系統，其特征在于：所述發射天線(1)和接收天線(2)所在的介質板Ⅰ(4)與反射結構(3)所在的介質板Ⅱ(5)集成合并在一塊介質板上，發射天線(1)所在的介質板Ⅰ(4)的背面覆銅區域與反射結構(3)所在的介質板Ⅱ(5)的背面覆銅區域之間、接收天線(2)所在的介質板Ⅰ(4)的背面覆銅區域與反射結構(3)所在的介質板Ⅱ(5)的背面覆銅區域之間各設有一個長度不小于反射結構(3)的條狀非覆銅區域(6)。

8.根據權利要求7所述的一種SIW縫隙串饋陣列天線系統，其特征在于：所述介質板I(4)采用Rogers 3003板材，其介電常數為3.0，厚度為0.254mm。