[實用新型]一種防泄漏碳化硅晶體生長爐

有效

• 申請號: 201720786708.3
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN207109146U
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發明（設計）人: 宗艷民;劉家朋
• 申請（專利權）人: 山東天岳先進材料科技有限公司
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B35/00
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司37205
• 代理人: 苗峻

1.一種防泄漏碳化硅晶體生長爐，包括爐體(1)和上爐蓋(2)以及下爐蓋(3)，爐體(1)內設有坩堝(4)，坩堝(4)周圍設有上反射屏(5)、側反射屏(6)和下反射屏(7)，其特征在于：上爐蓋(2)上設有觀察窗(8)以及與觀察窗(8)相適應的成像設備(9)，成像設備(9)與觀察窗(8)之間設有濾光片(10)；所述的上反射屏(5)為圓錐狀反射屏；所述的下反射屏(7)上方設有收集槽(11)，收集槽(11)通過收集槽支柱(12)設于下爐蓋(3)上，收集槽支柱(12)下部設有壓力傳感器(13)，壓力傳感器(13)通過數據信號線(14)與報警器(15)連接。

2.根據權利要求1所述的一種防泄漏碳化硅晶體生長爐，其特征在于：所述的上反射屏(5)與籽晶軸的夾角為60度。

3.根據權利要求1所述的一種防泄漏碳化硅晶體生長爐，其特征在于：所述的成像設備(9)與顯示屏(16)連接。

4.根據權利要求1所述的一種防泄漏碳化硅晶體生長爐，其特征在于：所述的收集槽(11)內徑大于坩堝(4)外徑。