[實用新型]一種導(dǎo)流筒支撐裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720784283.2
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN207130358U
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉學(xué);武志軍;張文霞;張全順;劉偉;尚偉澤;孫晨光;谷守偉;張雪囡
• 申請（專利權(quán)）人: 內(nèi)蒙古中環(huán)光伏材料有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 天津濱海科緯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司12211
• 代理人: 李成運

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于單晶硅生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域，尤其是涉及一種導(dǎo)流筒支撐裝置。

背景技術(shù)

目前直拉單晶生長熱系統(tǒng)中，熱屏支撐板處缺少隔熱層，無法阻隔蓋板下邊的熱輻射帶來的熱量，另外熱屏熱導(dǎo)率小，無法吸收更多來自于單晶和熱場的熱量，不利于增大單晶的縱向溫度梯度，導(dǎo)致單晶生長速率低。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本實用新型旨在提出一種導(dǎo)流筒支撐裝置，以解決現(xiàn)有導(dǎo)流筒支撐板因隔熱效果低造成的單晶硅生長速率低的問題。

為達到上述目的，本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：

一種導(dǎo)流筒支撐裝置，在導(dǎo)流筒頂部外緣設(shè)有環(huán)狀支撐平板，環(huán)狀支撐平板設(shè)有安裝孔，所述環(huán)狀支撐平板頂面上固定有環(huán)狀碳?xì)謱樱霏h(huán)狀碳?xì)謱禹斆婀潭ㄓ协h(huán)狀鉬層，所述環(huán)狀碳?xì)謱雍铜h(huán)狀鉬層分別設(shè)有和環(huán)狀支撐平板的安裝孔正對的過孔。

進一步的，所述環(huán)狀碳?xì)謱雍穸葹?0mm。

進一步的，所述環(huán)狀鉬層厚度為3mm。

進一步的，所述環(huán)狀碳?xì)謱雍铜h(huán)狀鉬層通過螺絲固定在環(huán)狀支撐平板上。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型所述的一種導(dǎo)流筒支撐裝置具有以下優(yōu)勢：

本實用新型所述的一種導(dǎo)流筒支撐裝置，在支撐平板上設(shè)置了碳?xì)謱雍豌f層，利用碳?xì)指魺岷玫奈锢硖匦裕韪魜碜杂谌廴趹B(tài)硅液對支撐板的熱輻射，從而減小熱屏支撐板對單晶的熱輻射，增大單晶的縱向溫度梯度，提高單晶生產(chǎn)速率，利用鉬的高熱導(dǎo)率(140.6W/m.K)的物理特性，能夠帶走更多的來自于單晶和熱場的熱量，從而增大單晶縱向溫度，提高單晶生長速率。

附圖說明

構(gòu)成本實用新型的一部分的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本實用新型實施例所述的一種導(dǎo)流筒支撐裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型實施例所述的一種導(dǎo)流筒支撐裝置圖1中的A放大圖。

附圖標(biāo)記說明：

1-支撐平板；2-碳?xì)謱樱?-鉬層；4-導(dǎo)流筒。

具體實施方式

需要說明的是，在不沖突的情況下，本實用新型中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

在本實用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實用新型的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”等僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本實用新型的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。

在本實用新型的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以通過具體情況理解上述術(shù)語在本實用新型中的具體含義。

下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細(xì)說明本實用新型。

如圖1-2所示，一種導(dǎo)流筒支撐裝置，在導(dǎo)流筒4頂部外緣設(shè)有環(huán)狀支撐平板1，環(huán)狀支撐平板1設(shè)有安裝孔，所述環(huán)狀支撐平板1頂面上固定有10mm環(huán)狀碳?xì)謱?，利用碳?xì)指魺岷玫奈锢硖匦裕韪魜碜杂谌廴趹B(tài)硅液對支撐板的熱輻射，從而減小熱屏支撐板對單晶的熱輻射，增大單晶的縱向溫度梯度，提高單晶生產(chǎn)速率，所述環(huán)狀碳?xì)謱?頂面固定有3mm環(huán)狀鉬層3，利用鉬的高熱導(dǎo)率(140.6W/m.K)的物理特性，能夠帶走更多的來自于單晶和熱場的熱量，從而增大單晶縱向溫度，提高單晶生長速率，所述環(huán)狀碳?xì)謱?和環(huán)狀鉬層3分別設(shè)有和環(huán)狀支撐平板1的安裝孔正對的過孔。

本實施例中，所述環(huán)狀碳?xì)謱?和環(huán)狀鉬層3通過螺絲固定在環(huán)狀支撐平板1上。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。