[實用新型]晶圓邊緣缺陷去除裝置有效
| 申請號: | 201720778657.X | 申請日: | 2017-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN206947302U | 公開(公告)日: | 2018-01-30 |
| 發明(設計)人: | 蔡家林;許桂英;石縛鳳 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 100176 北京市大興*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 邊緣 缺陷 去除 裝置 | ||
1.一種晶圓邊緣缺陷去除裝置,其特征在于,包括:
底座;
晶圓載臺,設置于所述底座上表面,用于承載待處理晶圓;
移動軌道,設置于所述底座上表面且位于所述晶圓載臺的外圍;以及
缺陷去除組件,其第一端與所述待處理晶圓相接觸,第二端位于所述移動軌道上并可沿所述移動軌道移動,其中,所述第二端沿所述移動軌道移動以帶動所述第一端對所述待處理晶圓進行缺陷去除處理。
2.根據權利要求1所述的晶圓邊緣缺陷去除裝置,其特征在于,所述缺陷去除組件的形狀為倒U型,包括:
主體部;
缺陷處理部,與所述主體部的一端相連接并形成所述倒U型結構開口側的第一端,其中,所述缺陷處理部為刀具;以及
支撐部,與所述主體部的另一端相連接并形成所述倒U型結構開口側的第二端,其中,所述支撐部沿所述移動軌道移動以帶動所述缺陷處理部對所述待處理晶圓進行缺陷去除處理。
3.根據權利要求2所述的晶圓邊緣缺陷去除裝置,其特征在于,所述缺陷處理部與所述主體部之間的連接方式為可拆卸連接。
4.根據權利要求2所述的晶圓邊緣缺陷去除裝置,其特征在于,所述支撐部與所述主體部通過彈性部件相連接,以使所述主體部可以相對于所述支撐部上下移動。
5.根據權利要求2所述的晶圓邊緣缺陷去除裝置,其特征在于,所述支撐部與所述主體部之間還設置有滾動部件,以使所述主體部可以相對于所述支撐部轉動。
6.根據權利要求1所述的晶圓邊緣缺陷去除裝置,其特征在于,所述移動軌道與所述晶圓載臺的邊緣具有預設間距。
7.根據權利要求1所述的晶圓邊緣缺陷去除裝置,其特征在于,所述晶圓載臺上設置有真空吸附孔,以吸附并固定所述待處理晶圓。
8.根據權利要求7所述的晶圓邊緣缺陷去除裝置,其特征在于,還包括真空開關以及與所述真空吸附孔相連通的真空裝置,其中,所述真空開關設置于所述底座上,并通過控制所述真空裝置以實現所述真空吸附孔對所述待處理晶圓的吸附。
9.根據權利要求1~8中任一項所述的晶圓邊緣缺陷去除裝置,其特征在于,還包括保護蓋,用于蓋合部分所述待處理晶圓并暴露出所述待處理晶圓上需要進行缺陷去除處理的位置。
10.根據權利要求9所述的晶圓邊緣缺陷去除裝置,其特征在于,所述保護蓋設置于所述底座上,且可沿其與所述底座相連接的連接軸轉動,以實現所述保護蓋的抬起和蓋合。
11.根據權利要求10所述的晶圓邊緣缺陷去除裝置,其特征在于,所述保護蓋通過升降裝置設置于所述底座上,其中,所述升降裝置包括升降軸和升降連接件,所述升降軸設置于所述底座上,所述升降連接件一端套設于所述升降軸上,另一端與所述保護蓋相連接,所述升降連接件帶動所述保護蓋在所述升降軸上上下移動。
12.根據權利要求9所述的晶圓邊緣缺陷去除裝置,其特征在于,所述保護蓋直徑與所述待處理晶圓直徑的差為2~6mm,且所述保護蓋的中心與所述待處理晶圓的中心重合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





