[實用新型]一種內置觸發放電管的塑封可控硅

有效

• 申請號: 201720772464.3
• 申請日: 2017-06-29
• 公開（公告）號: CN206907774U
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: 黎重林;顏呈祥;王成森;王琳
• 申請（專利權）人: 江蘇捷捷微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L23/495
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司32243
• 代理人: 盧海洋

技術領域

本實用新型涉及可控硅的特殊塑料封裝內容，特別涉及一種內置觸發放電管的塑封可控硅。

背景技術

目前我國的半導體塑封可控硅器件，其典型的封裝形式是將可控硅芯片直接封入塑封體內，形成獨立的可控硅器件，在使用時再在外電路中接入觸發電路，對于中小型可控硅來說，其典型的觸發電路是用電阻與電容分壓后將分得的電壓上接上一個雙向觸發二極管DB3，來觸發可控硅的門極。這種觸發方式，雖然電路簡單、比較穩定可靠，可以形成強觸發，對可控硅的開通時間的縮短有好處。但是因為這種觸發方式必須要在電容充電到28—36V時（典型值為32V）DB3才可以觸發，所以用這種形式的觸發電路其觸發角不可能做的很小，且這種觸發器件所提供的觸發電流受一定的限制。另外一種用兩個發光管正反向并聯來觸發可控硅的電路，在這個電路里因為發光管的正向開通電壓一般是2.8-3.5V，所以可控硅的觸發角比DB3小了很多，并且可以對可控硅的開通可以有光照的指示功能，但是，用發光管的正向觸發，開始的觸發電流比較小，會造成可控硅開通時間延長，在觸發時段里發熱。

實用新型內容

為了解決上述問題，本實用新型提供一種內置觸發放電管的塑封可控硅。

本實用新型提供的技術方案：一種內置觸發放電管的塑封可控硅，包括引線框架的底板、可控硅芯片、可控硅芯片的門極、引線框架的門極引出端、放電管芯片、鋁內引線，其特征在于：可控硅芯片通過焊料置于引線框架的底板居中位置上，放電管芯片通過焊料置于引線框架的門極引出端居中位置，放電管芯片通過鋁內引線與可控硅芯片的門極相連接，可控硅芯片的門極位于可控硅芯片右下角。

進一步地，放電管芯片地面銀電極膜的四周覆蓋一層絕緣和阻焊的玻璃膜。

進一步地，放電管芯片的底面采用了Ti、Ni、Ag三層金屬電極層，正面采用Al作為金屬電極。

一種內置觸發放電管的塑封可控硅燒結工藝，包括塑料包封、固化、電鍍、切筋、測試、打印工藝過程，燒結步驟：

a．使用的框架的引線框架的底板上和引線框架的門極引出端上用自動點膠機點上焊料；

b．用半自動上芯機分別將可控硅芯片和放電管芯片上到對應位置的焊料上；

c．將裝好焊料和可控硅芯片及放電管芯片的框架，按燒結的工藝條件進行燒結，燒結完成后按工藝要求對完成燒結的框架和芯片進行清洗并烘干。

本實用新型的有益之處是：本實用新型可以使可控硅的觸發角很小，從而提高可控硅的輸出效率；可以形成可控硅的強觸發，加快可控硅的開通時間，減少可控硅在開通時段的發熱；對應用電路中的觸發電容取值越小，觸發角越小，器件在到達轉折電壓時，馬上就由阻斷變為導通狀態，且雙向特性對稱較好，承載大脈沖電流的能力比較強，很適合做可控硅的觸發器件。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型的主視圖；

圖3為本實用新型的左視圖。

其中：1、引線框架的底板，2、可控硅芯片，3、可控硅芯片的門極，4、引線框架的門極引出端，5、放電管芯片，6、鋁內引線，7、焊料。

具體實施方式

為了加深對本實用新型的理解，下面將結合實施例和附圖對本實用新型做進一步詳述。

如圖1—3所示，一種內置觸發放電管的塑封可控硅，包括引線框架的底板1、可控硅芯片2、可控硅芯片的門極3、引線框架的門極引出端4、放電管芯片5、鋁內引線6，可控硅芯片2通過焊料7置于引線框架的底板1居中位置上，放電管芯片5通過焊料7置于引線框架的門極3引出端居中位置，放電管芯片5通過鋁內引線6與可控硅芯片的門極3相連接，放電管芯片2的底面采用了Ti、Ni、Ag三層金屬電極層，正面采用Al作為金屬電極，所述放電管芯片5地面銀電極膜的四周覆蓋一層絕緣和阻焊的玻璃膜?？煽毓栊酒拈T極3位于可控硅芯片2右下角。

一種內置觸發放電管的塑封可控硅燒結工藝，包括塑料包封、固化、電鍍、切筋、測試、打印工藝過程，燒結步驟：

a使用的框架的引線框架的底板1上和引線框架的門極3引出端上用自動點膠機點上焊料；

b用半自動上芯機分別將可控硅芯片2和放電管芯片5上到對應位置的焊料7上；

c將裝好焊料7和可控硅芯片2及放電管芯片5的框架，按燒結的工藝條件進行燒結，燒結完成后按工藝要求對完成燒結的框架和芯片進行清洗并烘干。

工作原理：本實用新型主要是將用作觸發的低壓放電管芯片聯接到可控硅的門極3上，低壓放電管芯片5的輸出特性具有到達一定的電壓就會迅速的轉換到開通的狀態，我們用于可控硅芯片2的觸發一般選取VBO為 10V左右，這樣的可控硅觸發電路，由于我們選取的放電管芯片5的VBO值較低，該觸發電路可以使可控硅得到比較小的觸發角，從而提高可控硅的輸出效率。這種觸發器件還可以瞬間形成一個較大的觸發電流，以強電流觸發來加速可控硅的開通時間，減少可控硅在觸發時段的發熱。