[實用新型]一種太陽能光伏組件有效
| 申請號: | 201720753652.1 | 申請日: | 2017-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN206806350U | 公開(公告)日: | 2017-12-26 |
| 發明(設計)人: | 孫俊;倪志春;牟張柱 | 申請(專利權)人: | 蘇州騰暉光伏技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/048 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司32103 | 代理人: | 孫仿衛,李萍 |
| 地址: | 215542 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能 組件 | ||
技術領域
本實用新型屬于太陽能晶硅電池組件領域,特別涉及一種通過導電膠實現電池片互聯的太陽能光伏組件。
背景技術
常規太陽能光伏組件使用錫包銅焊帶互聯太陽電池,經匯流而形成具有一定電流、電壓輸出的發電單元裝置。如,常見的有使用錫包銅焊帶互聯6寸太陽電池并結合助焊劑,一般在225℃左右的高溫條件下進行焊接實現互聯。首先,銅的熱膨脹系數一般是晶體硅的7倍,經過加熱高溫焊接后,在冷卻過程中,由于錫包銅焊帶金屬化在高溫下產生溫度應力會拉扯太陽電池,太陽電池會發生一定程度的彎曲,容易造成太陽電池裂片(太陽電池成本約占光伏組件封裝成本的70%左右)及與錫包銅焊帶間虛焊;且常規錫包銅焊帶厚度越厚、焊接溫度越高,太陽電池彎曲程度更嚴重。其次,錫包銅焊帶自身一般在標準20℃條件下體積電阻率為0.0225Ω?mm2/m,錫包銅焊帶在此體積電阻率下電阻增加,導電率下降最終影響太陽能光伏組件發電功率輸出。再次,焊接過程中使用助焊劑,在太陽能光伏組件封裝過程中因助焊劑過多或本身成份因素會殘留于太陽能光伏組件內部導致光伏組件黃變繼而影響光伏組件發電功率。同時使用6寸整片太陽電池互聯封裝光伏組件,由于自身電流、電壓一定,封裝后的光伏組件內部電流流通損耗高于小于6寸的太陽電池封裝。再者,錫包銅焊帶焊料涂層中含有約40%左右的鉛元素,不符合國際社會日益重視的無鉛化要求且會增加錫包銅焊帶電阻。
實用新型內容
綜合考慮各方面因素的前提下,本實用新型提出了一種太陽能光伏組件,其采用間隔的導電膠替代焊帶將電池切片互聯,提高輸出效率且減少了成本。
本實用新型采用的技術方案如下:
一種太陽能光伏組件,包括太陽電池片組,其特征在于:所述電池片組包括多個由太陽電池切割而成的太陽電池切片,所述太陽電池切片具有正面和背面,所述太陽電池切片的正面具有正面電極,所述太陽電池切片的背面具有背面電極,多個所述太陽電池切片沿橫向自前至后依次排列,且前一太陽電池切片的正面的后緣和后一太陽電池切片的背面的前緣通過多個導電膠塊連接導通,且相鄰兩個太陽電池切片之間的導電膠塊沿縱向間隔分布,所述導電膠塊由導電膠形成。
優選地,每個所述太陽電池片的正面電極包括多個細柵以及和所述多個細柵相連的用于匯集電流的主柵。
優選地,各所述太陽電池切片的寬度相等。
優選地,所述相鄰兩個太陽電池切片之間的導電膠塊的個數為5~7。
優選地,所述相鄰兩個太陽電池切片之間的導電膠塊的間距為10mm或10mm以下。
優選地,太陽電池切片的正面的所述后緣以及背面的所述前緣的寬度大于1mm且小于等于2mm。
優選地,所述太陽電池切片由多個五主柵太陽電池5份切割而成。
優選地,所述太陽能光伏組件還包括玻璃、第一封裝層、第二封裝層以及背板,所述玻璃、第一EVA層、太陽電池片組、第二EVA層以及背板自上至下層疊形成封裝體。
更優選地,所述太陽能光伏組件還包括邊框,所述封裝體安裝于所述邊框內。
更優選地,所述背板的背面上設置有接線盒。
本實用新型采用以上方案,相比現有技術具有如下優點:
采用分段涂導電膠形成的導電膠塊替代錫包銅焊帶互聯太陽電池切片,有效避免了高溫焊接產生的金屬化應力,與此同時搭配小尺寸太陽電池封裝可大大減少太陽電池裂片風險,提高了成品太陽能光伏組件良率,提高了太陽能光伏組件輸送功率;同時在不影響電池互聯線阻損壞及可靠性的前提下,可節省導電膠用量,成本得到大大降低,更有益于全面推廣使用;不使用助焊劑,避免的助焊劑殘留可能造成光伏組件黃變致使發電功率衰減的現象發生;最后利用太陽電池分割技術進行小尺寸太陽電池切片互聯封裝,利用小電流、高電壓特性減少發電功率損耗、提高輸出功率。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
附圖1是本實用新型的一種太陽能光伏組件沿縱向的示意圖;
附圖2是附圖1所示的太陽能光伏組件的相鄰兩個太陽電池切片沿縱向的示意圖;
附圖3是附圖2中沿A-A向的剖視圖。
上述附圖中,
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





