[實用新型]一種LED驅動裝置及其模擬調光電路

有效

• 申請號: 201720750115.1
• 申請日: 2017-06-26
• 公開（公告）號: CN207184865U
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: 劉夢;鄧迅升;麥炎全;陳博
• 申請（專利權）人: 深圳市晟碟半導體有限公司
• 主分類號: H05B33/08
• 分類號: H05B33/08
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙)44268
• 代理人: 王永文,劉文求

技術領域

本實用新型涉及LED照明技術領域，特別涉及一種LED驅動裝置及其模擬調光電路。

背景技術

在LED模擬調光領域，如圖1所示，其為傳統的調光裝置，直流電壓輸入信號VALG經過電壓跟隨器后，輸出到恒流源電路的同相輸入端，控制恒流源電路輸出電流的大小。當直流電壓輸入信號VALG接近于0V時，電壓跟隨器及恒流源電路的直流增益急劇降低，導致恒流輸出有非常大的誤差。采用上述調光電路，調光范圍只能做到5%~100%，無法實現0%~100%的調光范圍，從而影響終端客戶的使用體驗。

因而現有技術還有待改進和提高。

實用新型內容

鑒于上述現有技術的不足之處，本實用新型的目的在于提供一種LED驅動裝置及其模擬調光電路，通過對模擬調光信號進行二次電壓平移處理，調節兩次平移處理的電壓關系使其處于模擬調光電壓域，可實現0%~100%的調光范圍，拓寬了LED的調光范圍。

為了達到上述目的，本實用新型采取了以下技術方案：

一種LED驅動裝置的模擬調光電路，其包括預偏置模塊、去偏置模塊和恒流源模塊；由預偏置模塊對模擬調光信號進行電壓平移處理，由去偏置模塊對經電壓平移處理后的模擬調光信號再次進行電壓平移處理，使其處于模擬調光電壓域；恒流源模塊根據經二次電壓平移處理后的模擬調光信號輸出LED控制電流。

所述的LED驅動裝置的模擬調光電路中，所述預偏置模塊和去偏置模塊依次對模擬調光信號進行的兩次電壓平移處理滿足預設電壓關系，使模擬調光信號為0V時，LED控制電流也為0。

所述的LED驅動裝置的模擬調光電路中，所述預偏置模塊包括參考單元和疊加單元，所述參考單元輸出參考電壓至疊加單元，所述疊加單元根據參考電壓對模擬調光信號進行電壓平移后輸出第一輸出電壓。

所述的LED驅動裝置的模擬調光電路中，所述去偏置模塊包括電壓跟隨單元、電流采樣單元、電流鏡單元和去偏置單元，電壓跟隨單元根據所述第一輸出電壓的大小輸出等值的第二輸出電壓至電流采樣單元，經電流采樣單元采樣獲得第一電流；由電流鏡單元對所述第一電流進行預設倍鏡像處理得到第二電流，并輸出第一電壓信號至恒流源模塊和去偏置單元；所述去偏置單元根據所述第一電壓信號和第二電流對模擬調光信號再次進行電壓平移處理，得到第二電壓信號。

所述的LED驅動裝置的模擬調光電路中，所述參考單元包括第一電源，所述疊加單元包括第一電阻和第二電阻；所述第一電阻的一端連接模擬調光信號的輸入端，所述第一電阻的另一端連接去偏置模塊的控制端、還通過第二電阻連接第一電源的正極；所述第一電源的負極接地。

所述的LED驅動裝置的模擬調光電路中，所述電壓跟隨單元包括第一運算放大器，所述電流采樣單元包括第三電阻，所述去偏置單元包括第四電阻，所述去偏置模塊還包括第一MOS管，所述第一運算放大器的同相輸入端連接疊加單元的輸出端，所述第一運算放大器的反相輸入端通過第三電阻接地、還連接第一MOS管的源極，所述第一運算放大器的輸出端連接第一MOS管的柵極；所述第一MOS管的漏極連接電流鏡單元的輸入端；所述電流鏡單元的輸出端連接恒流源模塊的輸入端、還通過第四電阻連接恒流源模塊的輸出端和地。

所述的LED驅動裝置的模擬調光電路中，所述電流鏡單元包括第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管，所述第二MOS管的源極和襯底連接VDD供電端，所述第二MOS管的柵極連接第二MOS管的漏極、第三MOS管的柵極和第四MOS管的襯底；所述第三MOS管的源極和襯底連接VDD供電端，所述第三MOS管的漏極連接第五MOS管的襯底；所述第四MOS管的源極連接VDD供電端，所述第四MOS管的柵極連接第四MOS管的漏極、第五MOS管的柵極和第一MOS管的漏極；所述第五MOS管的漏極連接恒流源模塊的輸入端、還通過第四電阻連接恒流源模塊的輸出端和地。

所述的LED驅動裝置的模擬調光電路中，所述恒流源模塊包括第二電源、第二運算放大器和高壓MOS管，所述第二電源的正極連接第二運算放大器的同相輸入端，所述第二電源的負極接地；所述第二運算放大器的反相輸入端連接第五MOS管的漏極、還通過第四電阻連接高壓MOS管的源極和地，所述第二運算放大器的輸出端連接高壓MOS管的柵極；所述高壓MOS管的漏極連接待調光的LED燈串的負極。

所述的LED驅動裝置的模擬調光電路中，所述第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管均為P溝道MOS管。