[實(shí)用新型]一種MEMS芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201720748389.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207061862U | 公開(公告)日: | 2018-03-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李江龍;郝紅蕾;王宇;張?chǎng)析?/a> | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 歌爾科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | B81B3/00 | 分類號(hào): | B81B3/00;B81B7/02;H04R19/04 |
| 代理公司: | 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙)11442 | 代理人: | 王昭智,馬佑平 |
| 地址: | 266104 山東省青島*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 mems 芯片 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及微機(jī)電技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,本實(shí)用新型涉及一種MEMS芯片。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的MEMS麥克風(fēng)芯片包括襯底以及固定在襯底上的敏感膜和極板,敏感膜和極板之間具有一定的間隙,使得敏感膜與極板之間可以構(gòu)成平板電容器結(jié)構(gòu)。由于敏感膜固定連接在襯底上,在受到?jīng)_擊時(shí)(例如吹氣、機(jī)械沖擊和跌落),敏感膜容易彎曲變形,造成破損。
為了解決該技術(shù)問題,人們提出了將敏感膜自由設(shè)置在由極板和襯底圍合形成的容置空間內(nèi)。通過這種方式,敏感膜不再受到拉伸力。在受到外界沖擊時(shí),整個(gè)敏感膜的形變大大減小,提高了耐用性。
然而,由于敏感膜的尺寸小于容置空間的橫截面積,故敏感膜在振動(dòng)時(shí)容易左右擺動(dòng),這樣會(huì)導(dǎo)致振動(dòng)效果差,并且在大振幅下敏感膜容易發(fā)生扭曲,甚至落入背腔中。
另外,這種自由振膜在釋放的時(shí)候需要嚴(yán)格控制其應(yīng)力的釋放。例如采用在振膜上開縫、做紋膜結(jié)構(gòu)等方法來降低應(yīng)力,這些方法也只是從某種程度上釋放一部分應(yīng)力,無法完全釋放。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的一個(gè)目的是提供了一種MEMS芯片的新技術(shù)方案。
根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面,提供一種MEMS芯片,包括襯底,以及支撐在襯底上的極板,所述襯底與所述極板之間形成容納空間,還包括被自由設(shè)置在所述容納空間中的敏感膜,所述敏感膜與極板構(gòu)成了電容器結(jié)構(gòu);在所述容納空間內(nèi)設(shè)置有限位柱,所述限位柱穿過所述敏感膜,以限定所述敏感膜的振動(dòng)方向。
可選地,在所述敏感膜上設(shè)置有用于使所述限位柱穿過的過孔。
可選地,所述過孔與限位柱的外壁之間具有用于釋放敏感膜內(nèi)應(yīng)力的間隙。
可選地,在所述敏感膜上設(shè)置有供限位柱穿過的缺口,所述缺口貫通至敏感膜的邊緣。
可選地,所述缺口與限位柱的外壁之間具有用于釋放敏感膜內(nèi)應(yīng)力的間隙。
可選地,在所述極板與所述敏感膜之間設(shè)置有用于防止所述極板與所述敏感膜粘連的第一凸起。
可選地,在所述敏感膜與所述襯底之間設(shè)置有用于防止所述敏感膜與所述襯底相粘連的第二凸起。
可選地,所述敏感膜上鄰近所述限位柱穿過的區(qū)域設(shè)置有補(bǔ)強(qiáng)部。
可選地,所述補(bǔ)強(qiáng)部設(shè)置在敏感膜的一側(cè)或者兩側(cè)。
可選地,所述MEMS芯片為MEMS麥克風(fēng)芯片。
本實(shí)用新型的一個(gè)技術(shù)效果在于,通過限位柱的設(shè)置,敏感膜可以沿限位柱進(jìn)行上下振動(dòng),并且限位柱能有效阻止敏感膜在振動(dòng)過程中的橫向擺動(dòng),防止敏感膜因振幅過大而發(fā)生扭曲,提高了MEMS芯片的使用壽命。
通過以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述,本實(shí)用新型的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。
附圖說明
構(gòu)成說明書的一部分的附圖描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例,并且連同說明書一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。
圖1是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的MEMS麥克風(fēng)芯片的剖視圖。
圖2是根據(jù)本實(shí)用新型另一個(gè)實(shí)施例的MEMS麥克風(fēng)芯片的剖視圖。
圖3是根據(jù)本實(shí)用新型另一個(gè)實(shí)施例的MEMS麥克風(fēng)芯片的剖視圖。
圖4是根據(jù)本實(shí)用新型另一個(gè)實(shí)施例的MEMS麥克風(fēng)芯片的剖視圖。
圖5-8是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的敏感膜的俯視圖。
圖9是本實(shí)用新型敏感膜另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標(biāo)記說明:
11:襯底;12:背腔;13:敏感膜;13a:補(bǔ)強(qiáng)部;14:極板;15:第一凸起;16:第二凸起;17:限位柱;18:過孔;19:缺口。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本實(shí)用新型的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說明,否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本實(shí)用新型的范圍。
以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說明性的,決不作為對(duì)本實(shí)用新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。
對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論,但在適當(dāng)情況下,所述技術(shù)和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說明書的一部分。
在這里示出和討論的所有例子中,任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的,而不是作為限制。因此,示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。
應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng),因此,一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義,則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。
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