[實用新型]一種寬電流輸入范圍的門控淬滅電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720748074.2
• 申請日: 2017-06-26
• 公開（公告）號: CN206832359U
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 白濤;劉小淮
• 申請（專利權(quán)）人: 北方電子研究院安徽有限公司
• 主分類號: G01J1/44
• 分類號: G01J1/44
• 代理公司: 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司32224
• 代理人: 耿英,董建林

1.一種寬電流輸入范圍的門控淬滅電路，其特征是，包括充電管MOS管M2、淬滅管MOS管M1、由MOS管M3、M4、M5、M6、M7及電流源I₀和10I₀構(gòu)成的電壓比較器和由MOS管M8、M9、M10、M11、M12和M13構(gòu)成的控制整形電路；

MOS管M2與MOS管M1的漏極共連至A點及電壓比較器中MOS管M3的柵極，經(jīng)A點通過銦柱與SPAD連接；MOS管M1的源極接電源VDD；MOS管M2的源極接地；MOS管M2的柵極接或非門的輸出端；MOS管M1的柵極接B點，同時連接至控制整形電路中MOS管M11的漏極；

電壓比較器中MOS管M3的源極、MOS管M4的源極共連至電流源10I₀的輸出端，MOS管M3的漏極同時連接至MOS管M5的漏極和MOS管M7的柵極，MOS管M4的漏極連接至MOS管M6的漏極與柵極，MOS管M4的柵極接參考電壓Vref；MOS管M5的柵極與MOS管M6的柵極共連，MOS管M5的源極、MOS管M6的源極、MOS管M7的源極均接地；MOS管M7的漏極同時連接電流源I₀的輸出端與控制整形電路中MOS管M9、M10的柵極；電流源I₀和10I₀的輸入端均連接至電源ADD；

控制整形電路中MOS管M9、M10的漏極共連至B點、MOS管M12、M13的柵極及MOS管M11的漏極；MOS管M11的柵極接反相器輸出端；MOS管M10、M11、M13的源極接電源ADD；MOS管M9的源極與MOS管M8的漏極連接，MOS管M8的源極接地，MOS管M8的柵極接反相器輸出端；MOS管M12、M13的漏極共連為淬滅電路的輸出STOP；MOS管M12的源極接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬電流輸入范圍的門控淬滅電路，其特征是，所述反相器輸入端接ARM信號，經(jīng)過反相器輸出信號；輸出STOP和信號經(jīng)過或非門控制充電管M2的柵壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬電流輸入范圍的門控淬滅電路，其特征是，參考電壓Vref由電阻R1、R2、R3和MOS管M14、M15、M16、M17產(chǎn)生。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種寬電流輸入范圍的門控淬滅電路，其特征是，在電源VDD與地之間依次連接電阻R1、R2、R3；電阻R1、R2的共接點同時與MOS管M14的漏極、MOS管M15的源極相連；電阻R2、R3的共接點同時與MOS管M16的漏極、MOS管M17的源極相連；MOS管M15、M16的柵極共連至反相器輸入端；MOS管M14、M17的柵極均連接接至反相器輸出端；MOS管M14的源極、MOS管M15的漏極、MOS管M16的源極、MOS管M17的漏極共連輸出參考電壓Vref。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬電流輸入范圍的門控淬滅電路，其特征是，在A點與地之間還連接有電流源0.1I₀。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬電流輸入范圍的門控淬滅電路，其特征是，SPAD充電至過反偏期間為高比較閾值模態(tài)，在充電結(jié)束后的準備探測和淬滅階段為低比較閾值模態(tài)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬電流輸入范圍的門控淬滅電路，其特征是，SPAD的陽極通過銦柱與淬滅電路中的A點相連接，SPAD的陰極外接反偏電壓。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬電流輸入范圍的門控淬滅電路，其特征是，淬滅電路的輸出STOP作為計時電路的計時停止標志，計時電路以外部信號START的上升沿做為計時開始的標志。