[實用新型]半導(dǎo)體芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720746124.3
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN206992080U
• 公開（公告）日: 2018-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: S·珀蒂迪迪埃;N·奧特利耶;R·A·比安基;A·法希;B·弗羅門特
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體（克洛爾2）公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/498
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 王茂華,張昊

技術(shù)領(lǐng)域

本專利申請涉及半導(dǎo)體芯片，更具體地涉及被保護免受從后面進行的攻擊的電子芯片。

背景技術(shù)

包含機密信息的電子芯片(比如銀行卡芯片)易遭受目的在于確定芯片的操作以及在于從中提取機密信息的黑客攻擊。

在此考慮了為了實施攻擊，黑客在可能已經(jīng)預(yù)先使襯底變薄時例如利用離子束從芯片的后面鏤空空腔的情況。然后，黑客可以在空腔內(nèi)安裝具有位于前面上的部件的觸點，并且分析芯片的操作。

將期望有可以抵抗這些類型的攻擊的芯片。

實用新型內(nèi)容

因此，實施例提供了一種半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片包括從前面到背面穿過該芯片的至少兩個絕緣通孔，其中，在該后面?zhèn)壬?，這些通孔連接至同一導(dǎo)電帶并且在該前面?zhèn)壬?，每個通孔通過電介質(zhì)層與導(dǎo)電焊盤分離開。

根據(jù)一個實施例，該芯片包括多個元件，比如上文中其導(dǎo)電帶彼此平行的元件。

根據(jù)一個實施例，該導(dǎo)電帶在該后面的表面的至少一部分上形成蜿蜒物。

根據(jù)一個實施例，該芯片包括誘餌導(dǎo)電焊盤或誘餌通孔。

根據(jù)一個實施例，該芯片的該后面均勻地覆蓋有絕緣材料。

根據(jù)一個實施例，該電介質(zhì)層為氧化硅。

根據(jù)一個實施例，該導(dǎo)電帶由銅、鈦或鋁制成。

根據(jù)一個實施例，覆蓋該后面的該絕緣材料為聚合物或氧化硅。

實施例提供了一種用于制造半導(dǎo)體芯片的方法，該方法包括以下步驟：

在襯底的前面上形成導(dǎo)電焊盤；

使后面變薄；

從該后面蝕刻這些導(dǎo)電焊盤下面的開口，在到達該導(dǎo)電焊盤時停止；

在這些開口的壁和底部上沉積電介質(zhì)層；以及

在這些開口中形成導(dǎo)電層并且形成將這些導(dǎo)電層聯(lián)接在一起的導(dǎo)電帶。

根據(jù)一個實施例，每個導(dǎo)電焊盤為N型摻雜區(qū)。

根據(jù)一個實施例，這些N型摻雜區(qū)的高度在1μm至10μm之間。

附圖說明

這些特性和優(yōu)點連同其他特性和優(yōu)點將在結(jié)合附圖給出的具體實施例的以下非限制性描述中詳細闡明，在附圖中：

圖1A是被保護免受后面攻擊的芯片的實施例的俯視圖；

圖1B是圖1A的線B-B的截面圖；

圖1C是等效電路圖；

圖2表示了示例性電容測量儀的電路圖；

圖3是被保護免受后面攻擊的芯片的實施例的俯視圖；

圖4是被保護免受后面攻擊的芯片的另一實施例的俯視圖；

圖5是被保護免受后面攻擊的芯片的另一實施例的截面圖；

圖6是被保護免受后面攻擊的芯片的另一實施例的截面圖；

圖7是被保護免受后面攻擊的芯片的另一實施例的截面圖；

圖8A至圖8D是展示了用于制造被保護免受后面攻擊的芯片的方法的連續(xù)步驟的截面圖；以及

圖9A和圖9B是展示了用于制造被保護免受后面攻擊的芯片的另一種方法的連續(xù)步驟的截面圖。

具體實施方式

在各附圖中，已經(jīng)用相同參考號標(biāo)示了相同元件，并且此外，不同附圖并未按比例繪制。為清晰起見，僅僅表示并且詳細描述對理解所描述的實施例有用的要素。

在以下描述中，在對絕對位置(比如“前”“后”等術(shù)語)或相對位置(比如“上”等術(shù)語)的說明進行引用時，參照在正常使用位置上的附圖的取向。在俯視圖中，通過所考慮的芯片的透明度看到用虛線描繪的元件。

圖1A是被保護免受后面攻擊的半導(dǎo)體芯片1的實施例的俯視圖。圖1B是圖1A的平面B-B的截面圖。兩個導(dǎo)電焊盤3和4形成在芯片1的前面上。已從芯片的后面形成了與這些導(dǎo)電焊盤中的每個導(dǎo)電焊盤相對的開口。這些開口之后已封裝有由導(dǎo)電層8覆蓋的電介質(zhì)層6。因此，導(dǎo)電層8的上部9和10分別與導(dǎo)電焊盤3和4相對。因此，在焊盤3與導(dǎo)電層8的上部9之間存在電容器C1并且在焊盤4與導(dǎo)電層8的上部10之間存在電容器C2。導(dǎo)電帶12在后面之上延伸并且連接與導(dǎo)電焊盤3和4相對形成的導(dǎo)電層8。在芯片的襯底由導(dǎo)電材料制成的情況下，導(dǎo)電帶12通過絕緣層13與襯底分離開。

如圖1C所展示的，在焊盤3與4之間存在通過條帶12串聯(lián)連接的兩個電容器C1和C2。還描繪了與包括在導(dǎo)電焊盤3與4之間直接耦合的電容的不同雜散電容相對應(yīng)的電容器C3。電容器C3的電容通常遠小于串聯(lián)的電容器C1和C2的電容值。電容測量儀14測量電容C1、C2和C3的集的正常值。如果由電容C1與C2之間的條帶12組成的連接斷開，則電容測量儀測量的電容值急劇下降。此器件因此使得可能檢測到對導(dǎo)電帶12的完整性的任何攻擊。