[實用新型]一種引線框架有效
| 申請號: | 201720745187.7 | 申請日: | 2017-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN207052570U | 公開(公告)日: | 2018-02-27 |
| 發明(設計)人: | 王玲;彭林源 | 申請(專利權)人: | 南京矽邦半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204 | 代理人: | 呂朦 |
| 地址: | 210000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 引線 框架 | ||
1.一種引線框架,其特征在于,包括成品區域和非成品區域,所述非成品區域位于成品區域的外圍,所述成品區域用于放置成品,成品區域與非成品區域之間有過渡區域,所述過渡區域為半蝕刻,過渡區域的寬度大于切割刀的厚度;所述非成品區域包括非成品區域的注塑區域和非成品區域的非注塑區域,非成品區域的注塑區域位于非成品區域的非注塑區域與成品區域之間,非成品區域的非注塑區域的正面為半蝕刻,非成品區域的注塑區域的正面包括多個矩形全蝕刻區域;成品區域包括多個成品,相鄰成品之間有連接筋,所述連接筋的位置為切割刀軌跡,所述連接筋的背面為半蝕刻。
2.根據權利要求1所述的引線框架,其特征在于,所述非成品區域的注塑區域設有多個矩形全蝕刻區域,矩形全蝕刻區域包括大矩形全蝕刻區域和小矩形全蝕刻區域,部分大矩形全蝕刻區域沿連接筋的延長線分布,部分大矩形全蝕刻區域圍繞在成品區域外圍;所述小矩形全蝕刻區域排列于過渡區域的一側,過渡區域的另一側排列有成品的引腳,小矩形全蝕刻區域與成品上相鄰引腳的間隙對齊。
3.根據權利要求2所述的引線框架,其特征在于,所述小矩形全蝕刻區域的長度為成品引腳的長度,小矩形全蝕刻區域的寬度為成品引腳的間距。
4.根據權利要求1或2或3所述的引線框架,其特征在于,所述非成品區域的非注塑區域的半蝕刻厚度為引線框架厚度的1/3。
5.根據權利要求1或2或3所述的引線框架,其特征在于,所述過渡區域的半蝕刻設計深度為框架厚度的1/2;所述連接筋的半蝕刻設計深度為框架厚度的1/2。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





