[實用新型]多晶硅還原爐的電極

有效

• 申請號: 201720739277.5
• 申請日: 2017-06-23
• 公開（公告）號: CN206872435U
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發明（設計）人: 羅文富;黃國良;羅傳熙
• 申請（專利權）人: 廈門佰事興新材料科技有限公司
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035
• 代理公司: 廈門市精誠新創知識產權代理有限公司35218
• 代理人: 何家富

1.多晶硅還原爐的電極，其特征在于：其包括能與石墨座錐孔配合的錐頭，及中心設置有水冷空腔的電極體，所述電極體周圍穿套有絕緣套筒且其與錐頭固定相連，其中電極體與錐頭對接相連的一段為連接段；該連接段與錐頭外表面均設置有粗化層，所述連接段與錐頭的粗化層上分別噴涂有結合層，而結合層的外表面設置有外涂層；

其中，所述結合層與外涂層之間設置有加強結合層，該加強結合層為設置于結合層外表面的粗化處理層。

2.根據權利要求1所述的多晶硅還原爐的電極，其特征在于：所述加強結合層為采用拉毛工藝于結合層外表面形成點狀凸起的層結構。

3.根據權利要求1所述的多晶硅還原爐的電極，其特征在于：所述粗化層采用噴砂或拋丸工藝所形成的不規則凹凸層。

4.根據權利要求1所述的多晶硅還原爐的電極，其特征在于：所述結合層為純銀粉末為原料制成的噴涂層，或結合層為純銀粉末與一種或幾種陶瓷粉末組合的混合粉末為原料制成的噴涂層，或結合層為鎳、鋁合金任意一種金屬材料制成的噴涂層。

5.根據權利要求1所述的多晶硅還原爐的電極，其特征在于：所述外涂層為純銀粉末為原料制成的噴涂層，或外涂層為純銀粉末與一種或幾種陶瓷粉末組合的混合粉末為原料制成的噴涂層。

6.根據權利要求1所述的多晶硅還原爐的電極，其特征在于：所述外涂層包括第一外涂層及第二外涂層；其中，所述第一外涂層為錐頭外圍設置導體層，第二外涂層為連接段外圍設置由純陶瓷粉末制成的絕緣層。

7.根據權利要求6所述的多晶硅還原爐的電極，其特征在于：所述第一外涂層為純銀粉末為原料制成的噴涂層。

8.根據權利要求6所述的多晶硅還原爐的電極，其特征在于：所述第一外涂層為純銀粉末與一種或幾種陶瓷粉末組合的混合粉末為原料制成的噴涂層。

9.根據權利要求1至8任意一項所述的多晶硅還原爐的電極，其特征在于：所述結合層的厚度范圍為0.2mm～0.8mm，所述外涂層的厚度范圍為0.1mm～2.0mm。

10.根據權利要求1至8任意一項所述的多晶硅還原爐的電極，其特征在于：所述結合層的粗度范圍為10～100μm，外涂層的粗度范圍為20～50μm。