[實(shí)用新型]一種硅基氮化鎵功率器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720735791.1
• 申請(qǐng)日: 2017-06-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207068868U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王靜輝;楊私私;李曉波;袁鳳坡;白欣嬌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 同輝電子科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 石家莊元匯專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙)13115
• 代理人: 張建茹

1.一種硅基氮化鎵功率器件，包括由下到上依次設(shè)置的襯底(1)、緩沖層(2)以及外延層，其特征在于：所述的襯底(1)為曲率280-290km^-1的硅，緩沖層(2)為40-60nm厚度的復(fù)合緩沖層，復(fù)合緩沖層包括至少一個(gè)復(fù)合層，復(fù)合層由AlN層和GaN層由下到上堆疊組成，緩沖層(2)上端面刻飾有下凹圖形(4)，下凹圖形(4)的深度小于緩沖層(2)厚度，外延層包括180-220nm厚度的GaN外延層(3)及其上端的280-320nm厚度的AlGaN外延層(5)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基氮化鎵功率器件，其特征在于：所述的復(fù)合層中AlN層和GaN層的厚度依次增大。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基氮化鎵功率器件，其特征在于：所述的緩沖層(2)厚度為50nm，GaN外延層(3)厚度為200nm，AlGaN外延層(5)厚度為300nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基氮化鎵功率器件，其特征在于：所述的緩沖層(2)上端面的下凹圖形(4)包括孔形或者條形中的至少一種，并且所有下凹圖形(4)呈周期性排列。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基氮化鎵功率器件，其特征在于：所述的緩沖層(2)中下凹圖形(4)刻飾后形成凸出的呈周期性排列的柱形。