[實用新型]具有多晶硅鈍化遂穿復合結的N型雙面晶硅電池

有效

• 申請號: 201720730371.4
• 申請日: 2017-06-22
• 公開（公告）號: CN207381420U
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 毛衛平
• 申請（專利權）人: 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 文雯

1.一種具有多晶硅鈍化遂穿復合結的N型雙面晶硅電池，其特征在于：包括襯底，襯底采用n型晶體硅片，n型晶體硅片的正面由里到外依次設置n+型晶體硅層、正面鈍化減反射層以及穿透正面鈍化減反射層并與n型晶體硅片接觸的正面金屬電極；n型晶體硅片的背面依次設置p++型硅膜層、n++型硅膜層、背面鈍化減反射層以及穿透背面鈍化減反射層并與n++型硅膜層接觸的背面金屬電極。

2.如權利要求1所述的具有多晶硅鈍化遂穿復合結的N型雙面晶硅電池，其特征在于：n型晶體硅片采用n型單晶硅片或n型多晶硅片，n型晶體硅片的電阻率在0.3~10Ωcm，厚度在50~500um。

3.如權利要求1所述的具有多晶硅鈍化遂穿復合結的N型雙面晶硅電池，其特征在于：n+型晶體硅層的厚度在0.2~2um，方塊電阻在20~200Ω/□。

4.如權利要求3所述的具有多晶硅鈍化遂穿復合結的N型雙面晶硅電池，其特征在于：p++型硅膜層采用硼摻雜的非晶硅、非晶氧化硅、微晶硅、微晶氧化硅或多晶硅，p++型硅膜層的厚度在10nm~10um。

5.如權利要求4所述的具有多晶硅鈍化遂穿復合結的N型雙面晶硅電池，其特征在于：p++型硅膜層與n型晶體硅片之間附帶一層超薄氧化硅層，超薄氧化硅層厚度在1~3nm。

6.如權利要求5所述的具有多晶硅鈍化遂穿復合結的N型雙面晶硅電池，其特征在于：n++型硅膜層采用磷摻雜的非晶硅、非晶氧化硅、微晶硅、微晶氧化硅或多晶硅，n++型硅膜層厚度在10nm~10um。

7.如權利要求1-5任一項所述的具有多晶硅鈍化遂穿復合結的N型雙面晶硅電池，其特征在于：n++型硅薄膜層與p++型硅膜層之間附帶一層超薄氧化硅層，超薄氧化硅層厚度在0~3nm。

8.如權利要求1-5任一項所述的具有多晶硅鈍化遂穿復合結的N型雙面晶硅電池，其特征在于：正面鈍化減反射層至少包含a-SiNx、a-SiOx、a-SiCx、a-SiCxNy、a-SiNxOy中的任意一種，正面鈍化減反射層厚度在60~150nm，背面鈍化減反射層至少包含a-SiNx、a-SiOx、a-SiCx、a-SiCxNy、a-SiNxOy中的任意一種，背面鈍化減反射層厚度在60~150nm。

9.如權利要求1-5任一項所述的具有多晶硅鈍化遂穿復合結的N型雙面晶硅電池，其特征在于：正面金屬電極為Ag、Ni/Ag、Ni/Cu、Ni/Cu/Sn或Ni/Cu/Ag電極中的任意一種，背面金屬電極為Ag、Al、Ni/Ag、Ni/Cu、Ni/Cu/Sn或Ni/Cu/Ag電極中的任意一種。