[實用新型]具有3D堆疊天線的扇出型封裝結構有效
| 申請號: | 201720729865.0 | 申請日: | 2017-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN206931599U | 公開(公告)日: | 2018-01-26 |
| 發明(設計)人: | 陳彥亨;林正忠;何志宏 | 申請(專利權)人: | 中芯長電半導體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/66 | 分類號: | H01L23/66;H01Q1/22 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 214437 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 堆疊 天線 扇出型 封裝 結構 | ||
1.一種具有3D堆疊天線的扇出型封裝結構,其特征在于,所述封裝結構包括:
芯片結構,所述芯片結構包括裸芯片及位于所述裸芯片上、并與所述裸芯片電連接的接觸焊盤,其中,所述接觸焊盤所在表面為所述芯片結構的上表面;
包圍所述芯片結構,同時暴露出所述芯片結構上表面的塑封層;
位于所述塑封層上表面及芯片結構上表面的重新布線層,其中,所述重新布線層與所述接觸焊盤電連接;
位于所述重新布線層外側的塑封層上的3D堆疊天線,其中,所述3D堆疊天線通過所述重新布線層與所述芯片結構電連接;以及
位于所述重新布線層上的焊球凸塊,其中,所述焊球凸塊與所述重新布線層電連接。
2.根據權利要求1所述的具有3D堆疊天線的扇出型封裝結構,其特征在于,所述重新布線層包括位于所述塑封層及芯片結構上表面、由交替的絕緣層和金屬層構成的第一疊層結構,所述第一疊層結構的頂層為金屬層,且所述第一疊層結構的第一層金屬層與所述接觸焊盤進行電連接,相鄰兩層金屬層通過貫穿相應絕緣層的金屬插栓進行電連接,其中,所述交替的次數為不小于2次。
3.根據權利要求1所述的具有3D堆疊天線的扇出型封裝結構,其特征在于,所述3D堆疊天線包括位于所述重新布線層外側的塑封層上表面、由交替的絕緣層和金屬層構成的第二疊層結構,所述第二疊層結構的頂層為金屬層,且相鄰兩層金屬層通過貫穿相應絕緣層的金屬插栓進行電連接,其中,所述交替的次數為不小于2次。
4.根據權利要求1所述的具有3D堆疊天線的扇出型封裝結構,其特征在于,所述封裝結構還包括位于所述塑封層下表面的第二天線,其中,所述第二天線通過金屬連接結構與所述3D堆疊天線電連接。
5.根據權利要求1所述的具有3D堆疊天線的扇出型封裝結構,其特征在于,所述3D堆疊天線為矩形繞線型結構,包圍所述重新布線層。
6.根據權利要求1所述的具有3D堆疊天線的扇出型封裝結構,其特征在于,所述焊球凸塊包括位于所述重新布線層上表面的金屬柱,及位于所述金屬柱上表面的焊球。
7.根據權利要求1所述的具有3D堆疊天線的扇出型封裝結構,其特征在于,所述塑封層包括聚酰亞胺、硅膠或環氧樹脂中的一種。
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