[實用新型]顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720729464.5 | 申請日: | 2017-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN207009056U | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 勝田忠義 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號: | G09G3/20 | 分類號: | G09G3/20;G09G3/34 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司11240 | 代理人: | 張永明 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示裝置。
背景技術
近年來,面向手機以及電子紙等移動電子設備等的顯示裝置的需求變高。例如,在電子紙中使用的電泳顯示器(Electrophoretic Display:EPD)中,具有保持像素改寫時的電位的存儲性,如果對各個幀進行1次改寫的話,則直至下一幀進行改寫為止均保持改寫時的電位,因此能夠進行低耗電驅(qū)動(例如,專利文獻1)。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2014-010339號公報
實用新型內(nèi)容
由對像素晶體管的源極施加的源極驅(qū)動信號的電壓上限值和電壓下限值來決定對像素晶體管的柵極施加的柵極驅(qū)動信號的電壓振幅值。即,用于維持像素晶體管的關閉狀態(tài)的柵極驅(qū)動信號的電壓值需要低于源極驅(qū)動信號的電壓下限值,用于維持像素晶體管的導通狀態(tài)的柵極驅(qū)動信號的電壓值需要高于源極驅(qū)動信號的電壓上限值。尤其是,電泳顯示器由于需要以比液晶顯示面板等更高的電壓來驅(qū)動,因而電泳顯示器中的源極驅(qū)動信號的電壓上限值與電壓下限值的電位差大于液晶表示面板等中的源極驅(qū)動信號的電壓上限值與電壓下限值的電位差,相伴與此電泳顯示器中的柵極驅(qū)動信號的電壓振幅值大于液晶顯示面板等中的柵極驅(qū)動信號的電壓振幅值。因此,構(gòu)成生成柵極驅(qū)動信號的柵極驅(qū)動電路的部件、以及像素晶體管的特性劣化的風險變高,有可靠性降低的可能性。另外,通過柵極驅(qū)動信號的電壓振幅值變大,從而柵極驅(qū)動電路中的消耗電力變大,能夠進行低耗電驅(qū)動這樣的電泳顯示器的優(yōu)點變小。
本實用新型的目的在于提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)低耗電驅(qū)動的顯示裝置。
鑒于上述,希望一種能夠?qū)崿F(xiàn)低耗電驅(qū)動的顯示裝置。
本實用新型的一個方案所涉及的顯示裝置包括顯示面板;以及驅(qū)動部,驅(qū)動所述顯示面板,所述顯示面板包括:多個像素,具有像素電容和像素晶體管;掃描線,與各所述像素連接并被供給掃描信號;以及影像信號線,與各所述像素連接并被供給影像信號,所述像素晶體管包括:至少一個NMOS晶體管,連接于所述影像信號線與所述像素電容之間;以及至少一個PMOS晶體管,與所述NMOS晶體管并聯(lián)連接。
作為其它方案,在所述顯示裝置中,也可以所述至少一個NMOS晶體管有多個,所述至少一個PMOS晶體管有多個,所述像素晶體管構(gòu)成為多個所述NMOS晶體管串聯(lián)連接于所述影像信號線與所述像素電容之間,與多個所述NMOS晶體管相同數(shù)量的多個所述PMOS晶體管串聯(lián)連接于所述影像信號線與所述像素電容之間。
作為其它方案,在所述顯示裝置中,也可以所述掃描線包括:第一掃描線,與所述至少一個NMOS晶體管的柵極連接;以及第二掃描線,與所述至少一個PMOS晶體管的柵極連接。
作為其它方案,在所述顯示裝置中,也可以所述驅(qū)動部包括柵極驅(qū)動部,所述柵極驅(qū)動部生成用于驅(qū)動所述至少一個NMOS晶體管的柵極的NMOS柵極驅(qū)動信號并供給到所述第一掃描線,并且生成用于驅(qū)動所述至少一個PMOS晶體管的柵極的PMOS柵極驅(qū)動信號并供給到所述第二掃描線。
作為其它方案,在所述顯示裝置中,也可以所述NMOS柵極驅(qū)動信號與所述PMOS柵極驅(qū)動信號的極性彼此反轉(zhuǎn)。
作為其它方案,在所述顯示裝置中,也可以所述NMOS柵極驅(qū)動信號的低電位低于供給到所述影像信號線的信號的電壓下限值,所述PMOS柵極驅(qū)動信號的高電位高于供給到所述影像信號線的信號的電壓上限值。
作為其它方案,在所述顯示裝置中,也可以所述NMOS柵極驅(qū)動信號的高電位是供給到所述影像信號線的信號的電壓上限值與電壓下限值的電位差的中位數(shù),所述PMOS柵極驅(qū)動信號的低電位是供給到所述影像信號線的信號的電壓上限值與電壓下限值的電位差的中位數(shù)。
作為其它方案,在所述顯示裝置中,也可以所述NMOS柵極驅(qū)動信號的高電位高于供給到所述影像信號線的信號的電壓上限值與電壓下限值的電位差的中位數(shù)。
作為其它方案,在所述顯示裝置中,也可以所述PMOS柵極驅(qū)動信號的低電位低于供給到所述影像信號線的信號的電壓上限值與電壓下限值的電位差的中位數(shù)。
附圖說明
圖1是表示應用實施方式一所涉及的顯示裝置的顯示系統(tǒng)的概略構(gòu)成的一個例子的框圖。
圖2是表示實施方式一所涉及的顯示裝置的概略構(gòu)成的一個例子的圖。
圖3是表示實施方式一所涉及的顯示裝置中的像素晶體管的構(gòu)成以及柵極驅(qū)動部的構(gòu)成的一個例子的圖。
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