[實(shí)用新型]采用缺陷接地結(jié)構(gòu)的微波放大器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720728529.4
• 申請(qǐng)日: 2017-06-20
• 公開（公告）號(hào): CN206948270U
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王東;張小川;羅志剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都旭思特科技有限公司
• 主分類號(hào): H03F1/00
• 分類號(hào): H03F1/00;H03F1/56;H03F1/26;H03F3/19;H03F3/20
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• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及微波通信領(lǐng)域，具體涉及采用缺陷接地結(jié)構(gòu)的微波放大器。

背景技術(shù)

微波放大器用晶體管作為有源器件對(duì)微波信號(hào)實(shí)現(xiàn)放大的裝置。分為微波大功率放大器、微波低噪聲放大器兩種。微波功率放大器用于放大較強(qiáng)的微波信號(hào)。主要指標(biāo)有：①輸出功率，②非線性失真。非線性失真將引起幅度調(diào)制信號(hào)，如AM、MQAM等的畸變，使限帶信號(hào)頻譜展寬。減小非線性失真的措施一般有功率回退法和預(yù)失真法。功率回退法是降低輸出功率，使晶體管工作于線性區(qū)。是在輸入信號(hào)內(nèi)加入適當(dāng)?shù)氖д娉煞郑蛊湓诜糯笃髦信c新產(chǎn)生的失真抵消。在采取了這些措施之后，非線性失真一般能達(dá)到要求。在大信號(hào)工作狀態(tài)下，微波放大器會(huì)產(chǎn)生諧波失真的情況，因此會(huì)對(duì)基波信號(hào)產(chǎn)生損耗。

目前針對(duì)諧波失真多采用啞鈴型缺陷接地結(jié)構(gòu)，而傳統(tǒng)的啞鈴型缺陷接地結(jié)構(gòu)要達(dá)到需要的抑制效果需要設(shè)置很多組，這就會(huì)提高微波放大器的帶內(nèi)波動(dòng)，影響微波放大器性能。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是傳統(tǒng)的啞鈴型缺陷接地結(jié)構(gòu)要達(dá)到需要的抑制效果需要設(shè)置很多組，這就會(huì)提高微波放大器的帶內(nèi)波動(dòng)，影響微波放大器性能，目的在于提供采用缺陷接地結(jié)構(gòu)的微波放大器，解決上述問題。

本實(shí)用新型通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

采用缺陷接地結(jié)構(gòu)的微波放大器，包括微帶通路、環(huán)形微帶圈和橫向微帶線；所述橫向微帶線的軸線垂直于微帶通路軸線，并布置于微帶通路上方；所述橫向微帶線的兩端均設(shè)置環(huán)形微帶圈；所述環(huán)形微帶圈包括兩個(gè)高阻抗段和兩個(gè)低阻抗段；所述兩個(gè)高阻抗段和兩個(gè)低阻抗段依次交替設(shè)置閉合形成環(huán)形微帶圈；所述低阻抗段的寬度采用0.2～0.3mm；所述高阻抗段的寬度采用0.1～0.15mm。

現(xiàn)有技術(shù)中，目前針對(duì)諧波失真多采用啞鈴型缺陷接地結(jié)構(gòu)，而傳統(tǒng)的啞鈴型缺陷接地結(jié)構(gòu)要達(dá)到需要的抑制效果需要設(shè)置很多組，這就會(huì)提高微波放大器的帶內(nèi)波動(dòng)，影響微波放大器性能。本實(shí)用新型應(yīng)用時(shí)，當(dāng)微帶通路通過微波時(shí)，橫向微帶線將微波導(dǎo)向環(huán)形微帶圈，環(huán)形微帶圈的兩個(gè)高阻抗段和兩個(gè)低阻抗段構(gòu)成環(huán)形階梯阻抗諧振器，從而對(duì)微波進(jìn)行帶外抑制，由于兩個(gè)高阻抗段和兩個(gè)低阻抗段彼此交叉耦合，產(chǎn)生零點(diǎn)，從而比起傳統(tǒng)的缺陷接地結(jié)構(gòu)，有更好的帶外抑制效果，進(jìn)而在需要達(dá)到相同的抑制效果時(shí)，所需數(shù)量較少，降低了微波放大器的帶內(nèi)波動(dòng)和制作成本。本實(shí)用新型通過在環(huán)形微帶圈設(shè)置兩個(gè)高阻抗段和兩個(gè)低阻抗段，從而提高了抑制效果，進(jìn)而降低了微波放大器的帶內(nèi)波動(dòng)和制作成本。

進(jìn)一步的，所述橫向微帶線的端部連接于高阻抗段。

進(jìn)一步的，所述兩個(gè)高阻抗段和兩個(gè)低阻抗段的長(zhǎng)度之和采用微波波長(zhǎng)。

進(jìn)一步的，所述環(huán)形微帶圈設(shè)置為方環(huán)形，且兩個(gè)高阻抗段和兩個(gè)低阻抗段分別位于該方環(huán)的四條邊。

進(jìn)一步的，所述橫向微帶線的數(shù)量為兩個(gè)及以上，所述環(huán)形微帶圈的數(shù)量為橫向微帶線兩倍，所述橫向微帶線和與之相連接的兩個(gè)環(huán)形微帶圈構(gòu)成一個(gè)陣列單元；所述陣列單元的數(shù)量與橫向微帶線相同，且兩個(gè)及以上陣列單元構(gòu)成陣列。

本實(shí)用新型應(yīng)用時(shí)，橫向微帶線和與之相連接的兩個(gè)環(huán)形微帶圈構(gòu)成一個(gè)陣列單元，兩個(gè)及以上陣列單元又構(gòu)成陣列，從而提高了帶外抑制效果。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下的優(yōu)點(diǎn)和有益效果：

1、本實(shí)用新型采用缺陷接地結(jié)構(gòu)的微波放大器，通過在環(huán)形微帶圈設(shè)置兩個(gè)高阻抗段和兩個(gè)低阻抗段，從而提高了抑制效果，進(jìn)而降低了微波放大器的帶內(nèi)波動(dòng)和制作成本；

2、本實(shí)用新型采用缺陷接地結(jié)構(gòu)的微波放大器，橫向微帶線和與之相連接的兩個(gè)環(huán)形微帶圈構(gòu)成一個(gè)陣列單元，兩個(gè)及以上陣列單元又構(gòu)成陣列，從而提高了帶外抑制效果。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的限定。在附圖中：

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖中標(biāo)記及對(duì)應(yīng)的零部件名稱：

1-微帶通路，2-環(huán)形微帶圈，3-橫向微帶線，21-低阻抗段，22-高阻抗段。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合實(shí)施例和附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施方式及其說明僅用于解釋本實(shí)用新型，并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。

實(shí)施例