[實用新型]一種半導體制程檢測裝置有效
| 申請號: | 201720726312.X | 申請日: | 2017-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN206930599U | 公開(公告)日: | 2018-01-26 |
| 發明(設計)人: | 李麗;方建勛;陳圣白;陳明志;陳朕;靳春陽 | 申請(專利權)人: | 中芯長電半導體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | G01N23/04 | 分類號: | G01N23/04 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 214437 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 檢測 裝置 | ||
1.一種半導體制程檢測裝置,其特征在于,所述半導體制程檢測裝置至少包括:
X射線發生器,設置于所述X射線發生器的光線出射端口的濾波器;
所述濾波器包括支架及過濾板,所述支架將所述過濾板固定于所述X射線發生器的光線出射端口,所述過濾板的材質為鋅或鋅的混合物。
2.根據權利要求1所述的半導體制程檢測裝置,其特征在于:所述過濾板的直徑設定為4.5mm~5.5mm。
3.根據權利要求1所述的半導體制程檢測裝置,其特征在于:所述過濾板的厚度設定為0.1mm~0.2mm。
4.根據權利要求1所述的半導體制程檢測裝置,其特征在于:所述過濾板濾除的X射線為對半導體檢測成像沒有貢獻的低能量X射線。
5.根據權利要求1或4所述的半導體制程檢測裝置,其特征在于:所述過濾板濾除的X射線的波長大于0.083nm。
6.根據權利要求1所述的半導體制程檢測裝置,其特征在于:所述過濾板與所述X射線發生器的光線出射端口平行設置。
7.根據權利要求1所述的半導體制程檢測裝置,其特征在于:所述支架包括第一擋板及第二擋板,分別與所述X射線發生器的光線出射端口垂直設置。
8.根據權利要求1所述的半導體制程檢測裝置,其特征在于:所述支架的材質為不銹鋼。
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