[實用新型]一種新型發光光源有效
| 申請號: | 201720725405.0 | 申請日: | 2017-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN207353281U | 公開(公告)日: | 2018-05-11 |
| 發明(設計)人: | 王南;孫智江 | 申請(專利權)人: | 海迪科(南通)光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/08 | 分類號: | H01L33/08;H01L33/46 |
| 代理公司: | 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
| 地址: | 226500 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 發光 光源 | ||
本實用新型涉及一種新型發光光源,包括由下而上依次設置的一維光子晶體全反射鏡層、襯底、二維光子晶體層和發光光源,所述發光光源包括并排設置的藍色光源、綠色光源和紅色光源。使用單色光源時,襯底對單色光的反射會使得單色光的純度大幅度下降,進而可以在發光光源的下方設置二維光子晶體層,使得向下發射的光只能向下垂直發射,向兩側發射的光被禁止,提高單射光的發光效率和純度,也可以采用線缺陷三維光子晶體結構,在三維光子晶體中引入線缺陷,使帶隙中形成相應的缺陷能級,因此具有光子晶體結構的發光光源能夠實現彩色顯示的高色域和低功耗。
技術領域
本實用新型屬于半導體光電子器件制造領域,特別涉及一種新型發光光源。
背景技術
發光二極管(LED)是一種當在正向方向上被電偏置時以受激方式發光的半導體光源裝置。根據材料的不同,LED可以發出近紫外、可見光和近紅外光。
以氮化鎵為代表的第三代半導體,可以制成高效的LED,氮化鎵及其合金的帶隙覆蓋了從紅外到紫外的光譜范圍。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好等性質和強的抗輻射能力,在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。隨著LED在光源領域的應用越來越廣泛,由于LED光源具有體積小、壽命長、價格低喝發光效率高等有點,所以它開始逐步取代傳統光源。隨著LED生產技術的發展,市場上已出現了紅、橙、黃、綠、藍等各種顏色的LED產品。然而由于LED發光時LED 的光譜寬度較大,且會出現底面反射等問題,使得單色LED發光的單色性不理想,以及降低了LED光源的發光效率。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是提供一種能夠獲得更高純度的色光,以實現更寬色域范圍的新型發光光源。
為解決上述技術問題,本實用新型的技術方案為:一種新型發光光源,其創新點在于:包括由下而上依次設置的一維光子晶體全反射鏡層、襯底、二維光子晶體層和發光光源,所述發光光源包括并排設置的藍色光源、綠色光源和紅色光源。
一種新型發光光源,其創新點在于:包括由下而上依次設置的襯底、一維光子晶體全反射鏡層、二維光子晶體層和發光光源,所述發光光源包括并排設置的藍色光源、綠色光源和紅色光源。
一種新型發光光源,其創新點在于:包括由下而上依次設置的襯底、線缺陷三維光子晶體和發光光源,所述發光光源包括并排設置的藍色光源、綠色光源和紅色光源。
一種新型發光光源,其創新點在于:包括由下而上依次設置的線缺陷三維光子晶體、襯底和發光光源,所述發光光源包括并排設置的藍色光源、綠色光源和紅色光源。
進一步地,所述藍色光源的波長峰值為400~480nm。
進一步地,所述綠色光源的波長峰值為500~580nm。
進一步地,所述紅色光源的波長峰值為590~750nm。
進一步地,所述襯底選用藍寶石襯底、AlN襯底、SiC襯底或Si襯底中的任一種。
進一步地,所述二維光子晶體層由同種材料、相同直徑大小的介質柱以不同排列方式形成或由同種材料、直徑大小不同的介質柱以不同排列方式形成。
進一步地,所述由同種材料、相同直徑大小的介質柱構成的二維光子晶體層,二維光子晶體層的橫截面可以是矩形、三角形或六邊形結構中的任一種。
本實用新型的優點在于:
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