[實用新型]一種半導體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720724328.7
• 申請日: 2017-06-20
• 公開（公告）號: CN207409500U
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 單亞東;謝剛;張偉;李一枝
• 申請（專利權(quán)）人: 廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 工業(yè)和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 焉明濤

1.一種半導體器件，其特征在于，所述器件包括具有P型埋層的N型漂移區(qū)、溝槽結(jié)構(gòu)和柵氧化層；所述溝槽結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述N型漂移區(qū)的端部；所述P型埋層位于任意相鄰兩個溝槽之間；所述溝槽結(jié)構(gòu)為槽型多晶硅電極；所述槽型多晶硅電極與所述N型漂移區(qū)之間由所述柵氧化層隔離。

2.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件還包括金屬電極；所述金屬電極設(shè)置在所述溝槽結(jié)構(gòu)和所述N型漂移區(qū)的端部；所述金屬電極(6)與所述N型漂移區(qū)形成肖特基接觸。

3.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述P型埋層的摻入雜質(zhì)為硼。

4.如權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述P型埋層中硼注入劑量由所述N型漂移區(qū)的電阻率確定。

5.如權(quán)利要求4所述的器件，其特征在于，所述P型埋層中硼注入劑量在1E12-1E15cm-2之間。

6.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，任意相鄰兩個溝槽間的中心線穿過所對應(yīng)的P型埋層。

7.如權(quán)利要求6所述的器件，其特征在于，對于任意相鄰兩個溝槽之間的P型區(qū)域，所在中心線將所在P型埋層分成兩個P型區(qū)域；當所述器件處于反向阻斷狀態(tài)下，其中一P型區(qū)域與所在N漂移區(qū)形成第一電場，與該P型區(qū)域同側(cè)的多晶硅電極與所在N型漂移區(qū)域形成第二電場；所述第一電場與所述第二電場的電場方向相反。

8.如權(quán)利要求1-7中任意一項所述的器件，其特征在于，所述器件還包括N型晶向襯底；所述N型漂移區(qū)生長在所述N型晶向襯底；所述N型晶向襯底的摻雜濃度大于所述N型漂移區(qū)的摻雜濃度。