[實用新型]電子器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201720720594.2 | 申請日： | 2017-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN207398117U | 公開（公告）日： | 2018-05-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | A·巴納爾吉;A·康斯坦特;P·莫恩斯;B·D·耶格 | 申請（專利權(quán)）人： | 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/482 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038 | 代理人： | 申發(fā)振 |
| 地址： | 美國亞*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電子器件 | ||
本實用新型涉及電子器件。電子器件可包括具有主表面的襯底；覆蓋在所述襯底的所述主表面上面的單晶半導(dǎo)體膜；以及與所述單晶半導(dǎo)體膜相鄰的多晶化合物半導(dǎo)體層。在一個實施方案中，所述多晶化合物半導(dǎo)體層具有至多1×10
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及包括多晶化合物半導(dǎo)體層的電子器件。
背景技術(shù)
化合物半導(dǎo)體材料在提供硅器件無法實現(xiàn)的性能方面正變得越來越普遍。GaN允許為設(shè)備供電，是一種很有前景的材料。然而，形成與單晶GaN層的歐姆接觸可涉及在高溫下退火。對于基于Al的接觸，退火可在800℃至900℃的溫度范圍內(nèi)進行，并且可導(dǎo)致金屬凹陷穿過AlGaN阻擋膜以及金屬形態(tài)的不穩(wěn)定性。或者，可使用重N
實用新型內(nèi)容
本實用新型所要解決的問題是提高對半導(dǎo)體膜的接觸電阻。
根據(jù)本實用新型的一個方面，提供了一種電子器件，該電子器件包括：具有主表面的襯底；覆蓋襯底主表面的單晶半導(dǎo)體膜；以及與單晶半導(dǎo)體膜相鄰的多晶化合物半導(dǎo)體層，其中所述多晶化合物半導(dǎo)體層具有至多1×10
在一個實施方案中，單晶半導(dǎo)體膜和多晶化合物半導(dǎo)體層包括相同的III-N半導(dǎo)體材料。
在另一個實施方案中，多晶化合物半導(dǎo)體層未摻雜。
在又一個實施方案中，電子器件還包括互連件，其中互連件和多晶化合物半導(dǎo)體層的組合形成歐姆接觸。
在另一實施方案中，單晶半導(dǎo)體膜是晶體管的溝道膜。
在一個具體實施方案中，電子器件還包括覆蓋溝道膜的阻擋膜，其中阻擋膜與溝道膜相比具有不同的組合物，并且多晶化合物半導(dǎo)體層與溝道膜通過阻擋層的至少一部分間隔開。
在另一個具體實施方案中，電子器件還包括覆蓋溝道膜的阻擋膜，其中阻擋膜與溝道膜相比具有不同的組合物，并且多晶化合物半導(dǎo)體層的一部分延伸穿過阻擋膜并與溝道膜接觸。
在另一個具體實施方案中，電子器件還包括覆蓋溝道膜的阻擋膜，其中阻擋膜與溝道膜相比具有不同的組合物，并且溝道膜是GaN膜，多晶化合物半導(dǎo)體層是GaN層，并且阻擋膜包括Al
在一個更具體的實施方案中，電子器件還包括柵極電極，其中多晶化合物半導(dǎo)體層的第一部分是源極電極的一部分；多晶化合物半導(dǎo)體層的第二部分是漏極電極的一部分；并且溝道膜、源極、漏極和柵極電極均為晶體管的一部分。
在本實用新型的另一方面，提供了電子器件，該電子器件包括：具有主表面的襯底；覆蓋襯底主表面的單晶半導(dǎo)體膜；以及與單晶半導(dǎo)體膜相鄰的多晶化合物半導(dǎo)體層，其中多晶化合物半導(dǎo)體層的導(dǎo)電帶的能級低于其費米能級。
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