[實(shí)用新型]一種光伏晶硅組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201720712084.0
• 申請(qǐng)日: 2017-06-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN206834189U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳海龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇潤(rùn)達(dá)光伏無(wú)錫有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/048
• 分類號(hào): H01L31/048
• 代理公司: 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32104
• 代理人: 曹祖良

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及光伏晶硅技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光伏晶硅組件。

背景技術(shù)

光伏晶硅組件是通過(guò)晶硅半導(dǎo)體將光能轉(zhuǎn)換為電能的一個(gè)模塊，類似于光電池，光伏晶硅組件目前廣泛應(yīng)用于大型地面電站、屋面、船舶、航空等領(lǐng)域。

當(dāng)光伏晶硅組件應(yīng)用到電站項(xiàng)目中的時(shí)候，會(huì)串聯(lián)連接到逆變器中，整串的電壓會(huì)隨著組件數(shù)量的增加而增高。每個(gè)組件的邊框必須接地，整串的組件接到逆變器時(shí)，有半串的組件受到正偏壓，有半串組件受到負(fù)偏壓。組件長(zhǎng)期在高負(fù)偏壓作用下，使得邊框、玻璃、EVA、電池片之間存在微弱的電荷遷移的現(xiàn)象，隨著時(shí)間的加長(zhǎng)，大量電荷聚集在電池表面，形成的電場(chǎng)方向與光電池內(nèi)電場(chǎng)方向相反，這樣就削弱了光電池電子的產(chǎn)生，導(dǎo)致組件功率衰減，簡(jiǎn)稱“電位誘發(fā)衰減”，英文縮寫(xiě)PID。

由于光伏晶硅組件在電站中存在PID現(xiàn)象，如圖1和圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)中的光伏晶硅組件的初始狀態(tài)圖和PID測(cè)試后的EL圖像，由圖1和圖2可以看出，PID測(cè)試后的圖像明顯變暗，這種PID會(huì)導(dǎo)致組件功率在幾年時(shí)間內(nèi)衰減40％之多，甚至90％以上，解決PID現(xiàn)象，成為光伏電站建設(shè)首要問(wèn)題。而現(xiàn)有技術(shù)中主要是對(duì)電池片表面進(jìn)行鈍化處理，但這樣電池的效率會(huì)打折，組件功率做不高，成本較高，而且只是減少PID造成的功率衰減，不能杜絕此問(wèn)題的發(fā)生。

因此，如何提供一種能夠抗PID的光伏晶硅組件成為亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一，提供一種光伏晶硅組件，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題。

作為本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種光伏晶硅組件，包括玻璃基板、位于所述玻璃基板上的第一聚醋酸乙烯酯層以及多個(gè)電池片連接成的電池串，所述電池串通過(guò)所述第一聚醋酸乙烯酯層與所述玻璃基板粘結(jié)，其中，所述光伏晶硅組件還包括位于所述第一聚醋酸乙烯酯層與所述電池串之間的聚碳酸酯層和第二聚醋酸乙烯酯層，所述聚碳酸酯層的一面與所述第一聚醋酸乙烯酯層粘結(jié)，所述聚碳酸酯層的另一面通過(guò)所述第二聚醋酸乙烯脂層與所述電池串粘結(jié)。

優(yōu)選地，所述第一聚醋酸乙烯酯層和所述第二聚醋酸乙烯酯層的厚度均為0.3mm～0.5mm。

優(yōu)選地，所述第一聚醋酸乙烯酯層和所述第二聚醋酸乙烯酯層的厚度均為0.3mm。

優(yōu)選地，所述聚碳酸酯層的厚度為0.1mm～0.3mm。

優(yōu)選地，所述聚碳酸酯層的厚度為0.175mm。

優(yōu)選地，所述光伏晶硅組件還包括位于所述電池串上的第三聚醋酸乙烯酯層和背板，所述背板通過(guò)所述第三聚醋酸乙烯酯層與所述電池串粘結(jié)。

優(yōu)選地，所述光伏晶硅組件還包括封裝框，所述封裝框用于將所述背板與所述玻璃基板以及所述背板與所述玻璃基板之間的所述聚碳酸酯和所述電池串封裝在所述封裝框內(nèi)。

本實(shí)用新型提供的光伏晶硅組件，通過(guò)在電池串與玻璃基板之間設(shè)置兩層聚醋酸乙烯酯以及一層聚碳酸酯，通過(guò)聚碳酸酯的高電阻率阻止了光伏晶硅組件在負(fù)偏壓條件下其封裝框、玻璃里面的離子電荷的遷移，從而避免了PID問(wèn)題的發(fā)生，提高了光伏晶硅組件的質(zhì)量和使用壽命。

附圖說(shuō)明

附圖是用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本實(shí)用新型，但并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中：

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的光伏晶硅組件的初始狀態(tài)的EL圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的光伏晶硅組件的PID測(cè)試后的EL圖。

圖3為本實(shí)用新型提供的光伏晶硅組件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本實(shí)用新型提供的光伏晶硅組件的初始狀態(tài)的EL圖。

圖5為本實(shí)用新型提供的光伏晶硅組件的PID測(cè)試后的EL圖。

圖6為本實(shí)用新型提供的光伏晶硅組件的制作方法流程圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說(shuō)明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型。