[實用新型]一種雙絞屏蔽CAN總線有效
| 申請號: | 201720709179.7 | 申請日: | 2017-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN207009144U | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發明(設計)人: | 李冉;張玉廷;張華 | 申請(專利權)人: | 北京空間飛行器總體設計部 |
| 主分類號: | H01B11/10 | 分類號: | H01B11/10;H01B7/02 |
| 代理公司: | 北京理工大學專利中心11120 | 代理人: | 劉芳,仇蕾安 |
| 地址: | 100094 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 屏蔽 can 總線 | ||
技術領域
本實用新型提供一種雙絞屏蔽CAN(Controller Area Network)總線,屬于總線設計技術領域。
背景技術
目前,CAN總線是在航天器上應用最廣泛的通信協議之一,由于航天產品內部晶振和接口時鐘的頻率越來越高,部分CAN總線屏蔽設計不佳,使用CAN總線的航天產品在工作過程中會通過空間對鄰近設備或敏感設備產生電磁輻射干擾,還會通過航天器內線束的作用對相關聯的設備產生傳導干擾。另外,由于航天器內產品間線纜都是采用線束捆綁的方式,來自線束間耦合的電磁干擾也會影響CAN總線通信的性能。受電磁干擾影響,總線上的電平信號會發生跳變、波形畸變等,并造成發送器發出的消息與接收器接收的消息不符,從而不能保證消息正確性,引起總線消息實時性失效。因此,為了保證航天產品間能夠兼容工作,滿足航天器可靠性、安全性的要求,亟需具有良好屏蔽效能的航天器用雙絞屏蔽CAN總線。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了克服現有CAN總線屏蔽設計的缺陷而提供一種新型的適用于航天器的雙絞屏蔽CAN總線。在保持CAN總線原有的可靠性、實施性和靈活性等優點不變的情況下,僅針對其屏蔽性能進行優化,提高線纜整體屏蔽效能。
本實用新型是這樣實現的:
一種雙絞屏蔽CAN總線,包括多組絕緣線芯單元,每個絕緣線芯單元包括兩個絕緣線芯,每個絕緣線芯由一導體和一包被所述導體的絕緣層構成;在所述兩個絕緣線芯外包被有一屏蔽層,所述兩個絕緣線芯和所述屏蔽層構成一絕緣線芯單元;在所述多組絕緣線芯單元外被聚酰亞胺膜整體包覆,所有屏蔽層翻折在聚酰亞胺膜外,并設置一接地線,鍍銀銅絲將接地線與線束整體纏繞并焊錫形成一體后,使用銅基膠帶纏繞并依次外套防波套和絕緣編織套。
本實用新型的有益效果是:
第一,極大提高了線纜的屏蔽效果,減少線纜電磁泄漏,降低線纜通過空間輻射發射對敏感設備產生干擾的可能性,提高航天產品的可靠性。
第二,通過加強線纜屏蔽,降低了線束間電磁傳導發射對CAN總線耦合的可能性,提高設備的抗擾度。
第三,通過降低線纜的電磁泄漏,從而優化航天器艙內的電磁環境,減少艙內其他航天產品的過設計現象,降低研制成本。
附圖說明
圖1為CAN總線截面示意圖;
圖2為第一步示意圖;
圖3為第二步示意圖;
圖4為第三步示意圖;
圖5為第四步示意圖。
具體實施方式
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
本實例一種雙絞屏蔽CAN總線,包括4組絕緣線芯單元,每個絕緣線芯單元包括兩個絕緣線芯,每個絕緣線芯由一導體1和一包被所述導體1的絕緣層2構成;在所述兩個絕緣線芯外包被有一屏蔽層3,所述兩個絕緣線芯和所述屏蔽層3構成一絕緣線芯單元;在所述4組絕緣線芯單元外被聚酰亞胺膜5整體包覆,所有屏蔽層3翻折在聚酰亞胺膜5外,并設置一接地線4,鍍銀銅絲6將接地線4與線束整體纏繞并焊錫形成一體后,使用銅基膠帶7纏繞并依次外套防波套8和絕緣編織套9。本實施例中所述絕緣編制套選用Nomax白色編織套管。
本實用新型總線與接插件對接時,導線屏蔽層翻折后用鍍銀絲捆綁,用ATUM熱縮套管套入到接插件的尾部與屏蔽層翻折之間部位,然后用銅基膠帶包裹尾部口至鍍銀絲層外沿,并焊錫;最后沿尾部口制作防護簾,并整束套防波套和Nomax白色編織套管。具體過程如下:
第一步:距電連接器尾部2~10mm處將所有導線從屏蔽層內挑出,將屏蔽層調整在同一側,使用20~25mm寬的聚酰亞胺薄膜在尾部出線口處的導線束呈扁平狀纏繞3~5層,將屏蔽層沿聚酰亞胺薄膜上沿翻折在聚酰亞胺薄膜上。使用一根0.1~0.35mm2的多股接地導線,導線端頭搪錫后將芯線端朝尾部方向放在屏蔽層上,使用0.1~0.2mm2的鍍銀銅絲在聚酰亞胺薄膜中間位置對線束、翻折屏蔽層及接地線平行纏繞5~8mm,將鍍銀銅絲與屏蔽層錫焊在一起,焊錫應熔融滲透到鍍銀銅絲與屏蔽層及接地線之間,測量鍍銀絲與屏蔽層之間的電阻應≤10mΩ,如圖2所示。
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