[實(shí)用新型]一種三相整流橋堆

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201720707222.6
• 申請日: 2017-06-16
• 公開（公告）號: CN206947334U
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陸敏琴;聶磊
• 申請（專利權(quán)）人: 揚(yáng)州虹揚(yáng)科技發(fā)展有限公司
• 主分類號: H01L25/03
• 分類號: H01L25/03;H01L23/495;H02M7/06
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11212
• 代理人: 談杰

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及整流橋技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種三相整流橋堆。

背景技術(shù)

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的三相整流橋產(chǎn)品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖1，現(xiàn)有的三相整流橋產(chǎn)品結(jié)構(gòu)由五個(gè)框架、六個(gè)晶粒和六根跳線相疊而成，6根跳線一一對應(yīng)每個(gè)晶粒，需要進(jìn)行6次裝填，操作步驟繁瑣，效率低，也易造成晶粒與跳線的相互偏移現(xiàn)象的機(jī)率增多；同時(shí)產(chǎn)品外觀長*寬*厚為：47.1mm*29.3mm*5.0mm體積大，占空間，安裝空間大，無形中縮小了客戶的使用范圍。這樣大體積會耗很多的銅材和塑封料，物料成本明顯增加。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種減少跳線組裝后偏移機(jī)率的三相整流橋堆。

本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：

一種三相整流橋堆，包括：封裝體以及置于所述封裝體內(nèi)的六個(gè)晶粒、五個(gè)具有引腳的框架和四個(gè)跳線，六個(gè)晶粒分別為第一晶粒、第二晶粒、第三晶粒、第四晶粒、第五晶粒和第六晶粒，五個(gè)框架分別為第一框架、第二框架、第三框架、第四框架和第五框架，四個(gè)跳線分別為一個(gè)長跳線和三個(gè)短跳線，所述第一晶粒、所述第二晶粒和所述第三晶粒并排設(shè)置在所述第一框架上，所述第四晶粒設(shè)置在第二框架上，所述第五晶粒設(shè)置在第三框架上，所述第六晶粒設(shè)置在第四框架上，所述第一晶粒、所述第二晶粒和所述第三晶粒分別通過三個(gè)短跳線與所述第四框架、所述第三框架和所述第二框架相連，所述第四晶粒、所述第五晶粒和所述第六晶粒均通過所述長跳線與所述第五框架相連，從而構(gòu)成三相整流電路。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn)：

可選地，五個(gè)所述框架及其各自的引腳均處于同一平面內(nèi)。

可選地，所述封裝體的長為35mm，寬為25mm，高為4mm。

可選地，所述第一框架為正極框架，所述第五框架為負(fù)極框架，所述第二框架、所述第三框架和所述第四框架均為交流框架。

本實(shí)用新型的有益效果：

本實(shí)用新型對跳線進(jìn)行改動，將原來的六根跳線更改為四根跳線，裝填步驟由6次降至4次，步驟減少操作更方便簡單，縮短了裝填的時(shí)間，一次性完成三次的動作，效率提升，同時(shí)還降低了組裝偏移的機(jī)率，品質(zhì)提升。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的三相整流橋產(chǎn)品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的三相整流橋堆的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

第一晶粒-11；第二晶粒-12；第三晶粒-13；第四晶粒-14；第五晶粒-15；第六晶粒-16；第一框架-21；第二框架-22；第三框架-23；第四框架-24；第五框架-25；長跳線-31；短跳線-32；引腳-40。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的三相整流橋堆的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。參見圖2，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種三相整流橋堆，包括：封裝體以及置于所述封裝體內(nèi)的六個(gè)晶粒、五個(gè)具有引腳40的框架和四個(gè)跳線，六個(gè)晶粒分別為第一晶粒11、第二晶粒12、第三晶粒13、第四晶粒14、第五晶粒15和第六晶粒16，五個(gè)框架分別為第一框架21、第二框架22、第三框架23、第四框架24和第五框架25，四個(gè)跳線分別為一個(gè)長跳線31和三個(gè)短跳線32，所述第一晶粒11、所述第二晶粒12和所述第三晶粒13并排設(shè)置在所述第一框架21上，所述第四晶粒14設(shè)置在第二框架22上，所述第五晶粒15設(shè)置在第三框架23上，所述第六晶粒16設(shè)置在第四框架24上，所述第一晶粒11、所述第二晶粒12和所述第三晶粒13分別通過三個(gè)短跳線32與所述第四框架24、所述第三框架23和所述第二框架22相連，所述第四晶粒14、所述第五晶粒15和所述第六晶粒16均通過所述長跳線31與所述第五框架25相連，從而構(gòu)成三相整流電路。

本實(shí)用新型對跳線進(jìn)行改動，將原來的六根跳線更改為四根跳線，裝填步驟由6次降至4次，步驟減少操作更方便簡單，縮短了裝填的時(shí)間，一次性完成三次的動作，效率提升，同時(shí)還降低了組裝偏移的機(jī)率，提升品質(zhì)，延長使用壽命。

其中，五個(gè)所述框架及其各自的引腳40均處于同一平面內(nèi)。

其中，所述第一框架21為正極框架，所述第五框架25為負(fù)極框架，所述第二框架22、所述第三框架23和所述第四框架24均為交流框架。