[實用新型]一種改良型線性電阻片

有效

• 申請號: 201720702981.3
• 申請日: 2017-06-16
• 公開（公告）號: CN207021062U
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發明（設計）人: 劉晟睿
• 申請（專利權）人: 東莞福哥電子有限公司
• 主分類號: H01C10/10
• 分類號: H01C10/10;H01C10/26
• 代理公司: 東莞市永橋知識產權代理事務所(普通合伙)44400
• 代理人: 何新華

技術領域

本實用新型涉及電阻器件技術領域，尤其涉及一種改良型線性電阻片。

背景技術

阻值可以調整的電阻器，用于需要調節電路電流或需要改變電路阻值的場合。可變電阻器可以改變信號發生器的特性，使燈光變暗，啟動電動機或控制它的轉速。現有技術中，因電阻片基板上的印刷層結構設置不夠合理，其中，由于絕緣層比銀層的流動性要大，全部印刷層完成后，由于絕緣層的流動性，使絕緣層比原定印刷的面積要大，絕緣層的擴散影響接觸腳的接觸精度，從而直接導致電阻片的同步性差。

實用新型內容

基于此，本實用新型的目的在于提供一種改良型線性電阻片，通過調整基板上的印刷層的結構，從而提升電阻片的同步性。

本實用新型提供一種改良型線性電阻片，包括長條狀基板，所述基板上表面的兩端均設有接觸片組件，所述接觸組件包括設置在基板上表面一側的接觸片A、分別設置在基板上表面另一側的接觸片B、接觸片C、接觸片D、接觸片E；所述基板的外表面依次設置有絕緣層A、碳層A、銀層、硫化層、碳層B、絕緣層B。

所述絕緣層A的形狀和面積與基板的外表面相同；所述絕緣層A分別在與接觸片A、接觸片B、接觸片C、接觸片D、接觸片E對應的位置開設有鏤空部。

所述碳層A包括碎片狀碳層組A和碎片狀碳層組B，所述碎片狀碳層組A和碎片狀碳層組B均包括2片形狀分別相同的碎片狀碳層，所述碳層組A靠近接觸片A一側設置，所述碳層組B靠近接觸片C和接觸片D一側設置。

所述銀層包括與接觸片A位置對應的銀層塊面A、與接觸片B位置對應的銀層塊面B、與接觸片C位置對應的銀層塊面C、與接觸片D位置對應的銀層塊面D、與接觸片E位置對應的銀層塊面E；所述銀層塊面A包括依次連接的塊面A、塊面B、塊面C和塊面D，所述塊面A對應設置在接觸片A的上方，所述塊面D設置在碳層組A的上方，所述塊面D橫跨碳層組A的兩碎片狀碳層，所述塊面B和塊面C設置在塊面A和塊面D之間，所述銀層塊面C橫跨設置在與接觸片C位置對應的碎片狀碳層以及接觸片C的上方，所述銀層塊面D橫跨設置在與接觸片D位置對應的碎片狀碳層以及接觸片D的上方；所述塊面B和塊面C均設置為矩形，所述塊面C的長度與寬度均少于塊面B；所述銀層塊面B和銀層塊面E靠向接觸片A的一側邊緣均延伸至與塊面B相對的位置。

所述硫化層的結構與銀層的結構相同，所述硫化層對應覆蓋在銀層的上方。

所述碳層B包括兩條狀塊面，兩所述條狀塊面分別設置在塊面D與銀層塊面E以及塊面D與銀層塊面D之間。

所述絕緣層B設置在與塊面C對應的硫化層上方，所述絕緣層B的長度與塊面C的長度相等，所述絕緣層B的寬度大于塊面C的寬度，所述絕緣層B的寬度小于塊面B的寬度。

所述塊面A覆蓋在鏤空部上，所述銀層塊面B、銀層塊面C、銀層塊面D、銀層塊面E的一側均對應覆蓋在鏤空部上。

進一步，所述接觸片B、接觸片C、接觸片D、接觸片E靠向接觸片A一側的邊緣水平對齊設置；所述接觸片B和接觸片E遠離接觸片A一側的邊緣靠近基板的側邊緣設置，并且接觸片B和接觸片E遠離接觸片A一側的邊緣水平對齊；所述接觸片C和接觸片D設置在接觸片B和接觸片E之間，所述接觸片C和接觸片D的形狀和面積均相等；所述接觸片A設置為“凸”字形，所述接觸片A的凸出面靠向接觸片C和接觸片D的方向設置。

進一步，所述碳層組A的兩碎片狀碳層并列設置；所述狀碳層組B的兩碎片狀碳層并列設置；所述碳層組A和所述狀碳層組B中各碎片狀碳層的兩側邊緣分別對齊設置。

進一步，所述塊面A設置在接觸片A凸出面的上方；所述接觸片A凸出面的上方與鏤空部對應。

進一步，所述銀層塊面C的一側覆蓋碎片狀碳層的1/3的位置；所述銀層塊面C的另一側覆蓋接觸片C2/3的位置。

進一步，所述銀層塊面D的一側覆蓋碎片狀碳層的1/3的位置；所述銀層塊面D的另一側覆蓋接觸片C2/3的位置。

進一步，所述銀層塊面B遠離接觸片A的一側設置在接觸片B上方的位置占1/8。

進一步，所述銀層塊面E遠離接觸片A的一側設置在接觸片E上方的位置占1/8。

進一步，所述塊面A與塊面B連接，所述塊面B與塊面C連接，所述塊面C與塊面D連接。