[實用新型]一種GaN器件原位生長石墨烯掩埋電極結構有效

申請號：	201720702915.6	申請日：	2017-06-16
公開（公告）號：	CN207068797U	公開（公告）日：	2018-03-02
發明（設計）人：	袁俊;李百泉;倪煒江;張敬偉;牛喜平;李明山;盧小東	申請（專利權）人：	北京華進創威電子有限公司
主分類號：	H01L21/285	分類號：	H01L21/285;H01L23/373;H01L29/45;H01L21/335;H01L29/778
代理公司：	北京中創陽光知識產權代理有限責任公司11003	代理人：	張宇鋒
地址：	100176 北京市大***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種 gan 器件原位生長石墨掩埋電極結構
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【權利要求書】：

1.一種GaN器件原位生長石墨烯掩埋電極結構，其特征在于，所述電極結構包括襯底和依次向上生長的AlN成核層、GaN緩沖層和器件外延構造層；其中，所述襯底和所述AlN成核層之間從下至上還依次生成有AlN隔離層、金屬催化層和石墨烯掩埋散熱層；所述石墨烯掩埋散熱層與源極通過金屬連接，與背板和熱沉通過金屬連接。

2.根據權利要求1所述的GaN器件原位生長石墨烯掩埋電極結構，其特征在于，所述襯底由Si、SiC或者藍寶石中的一種材料制成。

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