[實用新型]半導體裝置

有效

• 申請號: 201720700554.1
• 申請日: 2017-06-16
• 公開（公告）號: CN206976326U
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 金舒永;娜捷明;金德宮;黃泰坤;林廣莫里斯;樸孫杉;金凱領
• 申請（專利權）人: 艾馬克科技公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L21/02
• 代理公司: 北京寰華知識產權代理有限公司11408
• 代理人: 林柳岑

技術領域

本實用新型涉及一種半導體裝置。本實用新型公開的實施例提供一種半導體裝置。

背景技術

近年來的電子裝置，例如智能型手機、膝上型計算機和平板計算機，包括配備有無線通信功能的多個無線半導體裝置。無線半導體裝置由于內建集成電路的時序頻率和高數據傳輸速度而產生電磁噪聲。為了抑制電磁噪聲，通常使用基板級“金屬屏蔽”方法。然而，基板級“金屬屏蔽”方法涉及可能導致低生產率和不良合格率的復雜的制造過程。此外，復雜的制造過程可能阻礙利用該制造過程的電子裝置的小型化和薄化。

實用新型內容

包括半導體晶粒及/或用EMI屏蔽處理的囊封部分的半導體裝置基本上與附圖中的至少一個一起顯示及/或描述，并且在權利要求書中更全面地闡述。

根據本實用新型的一態樣為一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：半導體晶粒，包括第一表面、與所述第一表面相對的第二表面、形成在所述第一表面和所述第二表面之間的第三表面以及形成在所述第二表面上的多個互連結構；EMI屏蔽層，其包括屏蔽所述半導體晶粒的所述第一表面的第一導電層和屏蔽所述半導體晶粒的所述第三表面的第二導電層；基板，其電連接到所述半導體晶粒的所述多個互連結構；以及囊封部分，其囊封所述EMI屏蔽層和所述基板。

所述態樣的半導體裝置進一步包括：另一半導體晶粒，其與所述半導體晶粒水平地間隔開；其中所述EMI屏蔽層的所述第二導電層介于所述半導體晶粒和所述另一半導體晶粒之間。

在所述態樣的半導體裝置中，所述半導體晶粒包括：接觸墊，其電連接到所述多個互連結構中的互連結構；以及接地電路圖案，其電連接所述接觸墊和所述EMI屏蔽層。

在所述態樣的半導體裝置中，所述EMI屏蔽層包括選自導電聚合物、導電油墨、導電膏和導電箔的材料。

所述態樣的半導體裝置進一步包括填充所述半導體晶粒和所述基板之間的間隙的底部填充物。

在所述態樣的半導體裝置中，所述EMI屏蔽層包括非濺射的EMI屏蔽層。

在所述態樣的半導體裝置中，所述EMI屏蔽層包括銅箔。

在所述態樣的半導體裝置中，所述EMI屏蔽層包括旋涂的EMI屏蔽層。

在所述態樣的半導體裝置中，所述EMI屏蔽層包括噴射印刷的EMI屏蔽層。

根據本實用新型的另一態樣為一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：半導體晶粒，其包括第一表面、與所述第一表面相對的第二表面、形成在所述第一表面和所述第二表面之間的第三表面以及形成在所述第二表面上的多個互連結構；非濺射的EMI屏蔽層，其屏蔽所述半導體晶粒的所述第一表面；多個EMI屏蔽線，其圍繞所述半導體晶粒的所述第三表面定位且電連接到所述非濺射的EMI屏蔽層；基板，其電連接到所述半導體晶粒的所述多個互連結構；以及囊封部分，其囊封所述非濺射的EMI屏蔽層、所述EMI屏蔽線和所述基板。

在所述態樣的半導體裝置中，所述非濺射的EMI屏蔽層包括選自導電聚合物、導電油墨、導電膏和導電箔的材料。

在所述態樣的半導體裝置中，所述多個EMI屏蔽線圍繞且感應地屏蔽所述半導體晶粒的所述第三表面。

在所述態樣的半導體裝置中，所述多個EMI屏蔽線與所述半導體晶粒的所述第三表面間隔開。

在所述態樣的半導體裝置中，所述非濺射的EMI屏蔽層具有帶有四邊的矩形；以及所述多個EMI屏蔽線沿著所述四邊配置。

根據本實用新型的又一態樣為一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：半導體晶粒，其包括第一表面、與所述第一表面相對的第二表面、形成在所述第一表面和所述第二表面之間的第三表面以及形成在所述第二表面上的多個互連結構；基板，其電連接到所述半導體晶粒的所述多個互連結構；第一囊封部分，其包括圍繞所述半導體晶粒的所述第一表面的第一區域和圍繞所述半導體晶粒的所述第三表面的第二區域；以及EMI屏蔽層，其屏蔽所述第一囊封部分的所述第一區域和所述第二區域中的至少一個。

在所述態樣的半導體裝置中，所述EMI屏蔽層屏蔽所述第一囊封部分的所述第二區域；以及所述基板進一步包括通過所述第二區域暴露的天線圖案。

所述態樣的半導體裝置進一步包括囊封所述第一囊封部分、所述EMI屏蔽層和所述基板的第二囊封部分。

在所述態樣的半導體裝置中，所述EMI屏蔽層屏蔽所述第一囊封部分的所述第一區域。

所述態樣的半導體裝置進一步包括圍繞所述半導體晶粒的所述第三表面定位且電連接到所述EMI屏蔽層的多個EMI屏蔽線。