[實用新型]一種脫硫吸收塔內的氣流均布板

有效

• 申請號: 201720693315.8
• 申請日: 2017-06-14
• 公開（公告）號: CN207076299U
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發明（設計）人: 金穎姍;王凱亮;趙冰;朱會;楊芳;呂連濤
• 申請（專利權）人: 中國華電科工集團有限公司;華電環保系統工程有限公司
• 主分類號: B01D53/18
• 分類號: B01D53/18;B01D47/06
• 代理公司: 北京聯創佳為專利事務所(普通合伙)11362
• 代理人: 郭防

技術領域

本實用新型涉及一種氣流均布板，特別是一種脫硫吸收塔內的氣流均布板，屬于均流板技術領域。

背景技術

現有技術中，為了提高脫硫除塵效率，超凈排放的脫硫吸收塔很多都加裝一層氣流均布板裝置，在氣流均布板表面開設相同開孔率的圓孔。但是在濕法脫硫的脫硫塔中，煙氣由下而上流動，由于脫硫塔邊壁的邊界層效應及煙氣進出口等的影響，導致煙氣在塔內的流動非常不均勻，氣液兩相接觸分布不均導致脫硫、除塵效果不理想。

實用新型內容

本實用新型的目的在于，提供一種脫硫吸收塔內的氣流均布板，對氣流均布板的結構和布置方式進行優化，進而提高脫硫塔的脫硫效率和除塵效率。

為解決上述技術問題，本實用新型采用如下的技術方案：

一種脫硫吸收塔內的氣流均布板，所述氣流均布板置于塔本體煙氣入口與噴淋層之間。應用于該種氣流均布板的脫硫塔包括塔本體以及在塔本體內由下而上依次設置的漿液池、煙氣入口、噴淋層、除霧層和煙氣出口，煙氣出口設置在塔本體頂部外壁上并與煙氣入口位于同側。漿液池內存儲有漿液，用于與入口煙氣中的SO₂和粉塵顆粒等發生反應，達到脫硫目的。所述氣流均布板上開設有若干個通孔，所述通孔為多邊形孔，所述多邊形孔可以為圓孔、三角形孔或矩形孔，所述氣流均布板的開孔率為30％～38％。煙氣從塔本體側面的煙氣入口進入，上升至氣流均布板，經過其均布作用，氣流均勻分布，以便于最大限度與噴淋層噴淋的漿液充分反應。處理過的煙氣在塔本體內進一步上升至除霧層，在除霧層去除霧滴，凈化后的煙氣經煙氣出口排出。所述氣流均布板包括從下而上依次布置的氣流均布板A、氣流均布板B和氣流均布板C，所述氣流均布板與噴淋層間隔布置。氣流均布板可以使氣流分布均勻，在其上方形成持液層，強化了SO₂向漿液的傳質，形成的漿液泡沫層擴大了氣液接觸面，進而提高脫硫效率。所述氣流均布板A和氣流均布板B之間設有一層噴淋層，所述氣流均布板B和氣流均布板C之間也設有一層噴淋層，所述氣流均布板C與除霧層之間也設有一層噴淋層，其中每層噴淋層和與之相鄰的氣流均布板之間的間距為1500㎜～2000㎜。所述煙氣入口與氣流均布板A之間的間距為1500～2000㎜。將噴淋層與氣流均布板一一對應布置，保證每個氣流均布板上都可以形成有效的持液層，使煙氣在塔本體內流動時穿過多個持液層，對煙氣進行多次處理，有效去除煙氣中的SO₂和粉塵顆粒，提高脫硫效率。

前述的氣流均布板A上設有交叉布置的固定桿A和固定桿B，所述固定桿A和固定桿B將氣流均布板A固定于塔本體上。所述氣流均布板A被固定桿A和固定桿B分為四個區域，即氣流均布板A上順時針依次分布有第一塔入口近端區、區域B、第一塔入口遠端區和區域A，其中所述區域A和區域B的開孔率相同，其開孔率大于第一塔入口遠端區的開孔率且小于第一塔入口近端區的開孔率。結合脫硫塔內的流場模擬，根據煙氣在不同區域的流速，離煙氣入口遠的區域，煙氣流速較快；離煙氣入口較近的區域，煙氣流速較低。在流速較高處，減少通孔的布置密度，增高煙氣流動阻力，使得流速高區域的煙氣速度降低；在流速較低處，增大通孔的布置密度，降低煙氣流動阻力，使得流速低區域的煙氣速度提高，從而使煙氣流場更均勻，進一步保證煙氣均勻地與漿液反應，從而提高塔內的脫硫效率和除塵效率。

前述的第一塔入口近端區的開孔率為38％，所述第一塔入口遠端區的開孔率為33％，所述區域A和區域B的開孔率為36％。根據脫硫塔實際運行情況并結合脫硫塔內的流場模擬，發現該種開孔率的氣流均布板布置，可以使得煙氣在氣流均布板上與噴淋形成的漿液形成擾動劇烈的鼓泡液層區，使得氣液擾動混合劇烈，湍流程度加大，氣液接觸充分，傳質效果達到最好。

為了進一步強化脫硫效率，前述的氣流均布板B上設有交叉布置的固定桿C和固定桿D，所述固定桿C和固定桿D將氣流均布板B固定于塔本體上。所述氣流均布板B被固定桿C和固定桿D分為四個區域，即氣流均布板B上順時針依次分布有第二塔入口近端區、區域D、第二塔入口遠端區和區域C，其中區域C和區域D的開孔率相同，其開孔率大于第二塔入口遠端區的開孔率且小于第二塔入口近端區的開孔率，使得漿液在多個區域內形成持液層，限制了持液層的流動性，使得煙氣可以穩定地與漿液發生反應。

進一步的，前述的第二塔入口近端區的開孔率為36％，所述第二塔入口遠端區的開孔率為31％，所述區域C和區域D的開孔率為33％。