[實用新型]一種紅外高功率發射管支架

有效

• 申請號: 201720690855.0
• 申請日: 2017-06-14
• 公開（公告）號: CN207068905U
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發明（設計）人: 陳印;黃啟紅
• 申請（專利權）人: 珠海市萬州光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司44205
• 代理人: 俞梁清

技術領域

本實用新型涉及紅外發射管組件技術領域，具體涉及紅外發射管支架。

背景技術

現在市面上使用的紅外高功率發射管支架包括正極支架和負極之架，其中負極支架上往往設置有深杯，用以放置紅外發射管晶片，杯深一般都在0.5mm以上，這樣的深杯在隨著工作時間的增加，內應力增大，導致芯片損壞。

實用新型內容

基于現有技術的不足，本實用新型的目的在于提供一種紅外高功率發射管支架，有效解決產品因內部應力過大，損壞芯片。

為實現上述目的，本實用新型的技術方案為：

一種紅外高功率發射管支架，包括支架主體，所述支架主體包括分立設置的正極支架和負極支架，所述負極支架內側與所述負極支架一體成型有深杯，所述正極支架與放置在深杯中晶片的正極連接，晶片的負極與所述深杯連接，所述深杯的底面為平面，杯身為椎體結構，所述深杯的深度為0.4～0.45mm。

進一步的，還包括分別與所述正極支架和負極支架一體成型的正極引腳和負極引腳。

進一步的，所述深杯的下底面直徑為0.7mm，上底面直徑為1.65mm。

進一步的，所述深杯內壁任意兩相對母線的延長線相互垂直。

進一步的，支架主體及所述深杯底層均為鐵，鐵上從內而外依次覆有第一鎳層、第一銅層、第二鎳層、第二銅層、第三鎳層和銀層。

本實用新型的有益效果為：與傳統高功率紅外發射支架相比，此紅外晶片發射功率高且相同工作時間的情況下，大大的提升了產品穩定特性和一致性，同時晶片直接放置在深杯平面底部，晶片更加穩固。

附圖說明

圖1為本實用新型具體實施例的結構示意圖；

圖2為本實用新型具體實施例的支架主體的放大結構示意圖；

圖3為本實用新型具體實施例的深杯俯視結構示意圖。

具體實施方式

以下將結合實施例和附圖對本實用新型的構思、具體結構及產生的技術效果進行清楚、完整地描述，以充分地理解本實用新型的目的、特征和效果。顯然，所描述的實施例只是本實用新型的一部分實施例，而不是全部實施例，基于本實用新型的實施例，本領域的技術人員在不付出創造性勞動的前提下所獲得的其他實施例，均屬于本實用新型保護的范圍。

如圖1、圖2和圖3所示，一種紅外高功率發射管支架，包括支架主體，所述支架主體包括分立設置的正極支架1和負極支架2，所述負極支架2內側與所述負極支架上端一體成型有深杯3，所述正極支架1與放置在深杯中晶片的正極連接，晶片的負極與所述深杯連接，所述深杯3的底面為平面，杯身為椎體結構，所述深杯3的深度H為0.4～0.45mm。所述深杯的下底面D1直徑為0.7mm，上底面D2直徑為1.65mm。所述深杯內壁任意兩相對母線L的延長線相互垂直。紅外高功率發射管支架還包括分別與所述正極支架和負極支架一體成型的正極引腳和負極引腳。

深杯的上底面低于正極支架的頂面h 0.15mm，負極支架底部與負極引腳內側為平滑的弧形邊，正極支架底部與正極引腳內側也為平滑的弧形邊，兩弧形邊所在圓的半徑R為0.25mm。

下表給出了深杯的深度與發射功率及對應的產品經過老化后的數據：

可知，支架深杯的深度在0.4～0.45毫米之間，發射功率最大，且幾乎沒有老化不良現象。

本實施例與傳統高功率紅外發射支架相比，在紅外晶片發射功率高、相同工作時間的情況下，大大的提升了產品穩定特性和一致性，同時晶片直接放置在深杯平面底部，晶片更加穩固。

支架主體及所述深杯底層均為鐵，鐵上從內而外依次覆有第一鎳層、第一銅層、第二鎳層、第二銅層、第三鎳層和銀層，這樣的支架主體和深杯光澤度好。

需要說明的是，以上所述只是本實用新型的較佳實施例而已，本實用新型并不局限于上述實施方式，只要其以相同的手段達到本實用新型的技術效果，都應屬于本實用新型的保護范圍。