[實用新型]適用于窄邊框產品的框膠層曝光的基板有效
| 申請號: | 201720688870.1 | 申請日: | 2017-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN206773336U | 公開(公告)日: | 2017-12-19 |
| 發明(設計)人: | 蔡財福 | 申請(專利權)人: | 東旭(昆山)顯示材料有限公司;東旭集團有限公司;東旭科技集團有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1335 | 分類號: | G02F1/1335;G02F1/1339 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司11283 | 代理人: | 陳靜,嚴政 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇州市昆山市開*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 適用于 邊框 產品 框膠層 曝光 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,特別涉及顯示器領域,具體涉及適用于窄邊框產品的框膠層曝光的基板。
背景技術
2014年以后,窄邊框顯示器大行其道,如今這種潮流可以說是遍及各個顯示領域。
手機也流行窄邊框,電視也流行窄邊框,就連一直滯后發展的筆記本電腦,也出現了窄邊框的產品。
窄邊框對于產品的品質提升,其作用也是非常明顯的。窄邊框可以讓產品更加時尚,這是最直觀的作用。采用窄邊框設計的顯示產品,對于尺寸的利用更有優勢,同樣的尺寸(包含外邊框),窄邊框的產品屏幕顯示面積更大,對于筆記本以及手機來說,意味著更小的機身,更大的尺寸。
對于大屏幕的顯示器來說,產品的氣質提升,對于追求時尚的用戶來說也是很有意義的。
目前現有技術的窄邊框設計是將框膠(Sealant)設計于遮光層(BM)上,由于BM本身不透光,這會導致框膠的接著力或是強度不足,因此現有技術中采用在TFT玻璃(又稱T側玻璃)對應框膠的位置上,將金屬層由原本的全部遮蔽改為狹縫設計,并將原本由CF玻璃(又稱C側玻璃)側曝光方式改為T側玻璃曝光方式,以由上述的設計方式來確??蚰z的設計強度可與預期相同。然而,這種設計方式需要將C側玻璃翻轉才能通過T側玻璃以進行曝光,不利于生產效率的提高。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了克服現有技術的缺陷,提供一種能夠通過C側玻璃進行曝光的適用于窄邊框產品的框膠層曝光的基板。
框膠的設置目的主要在于阻擋水氣,框膠與玻璃的接著力很強,而BM與玻璃的接著力差。如果框膠完全站在BM上,那水氣有可能會從BM滲入或是在面板有變形的狀況下,BM可能會從玻璃上面剝離。所以現有技術如果要做窄邊框的產品,均要保持框膠與玻璃有接著,這樣才能同時實現產品的窄邊框化和保留框膠良好的接著力,因此,現有技術在設計窄邊框產品時采用的均是將BM層設置在CF玻璃層,而將TFT玻璃層側的金屬層設計成狹縫式以方便框膠層曝光。但是現有技術的這種工藝需要在制作過程中將基板翻轉以進行曝光,從而使得基板的制作過程延長。本實用新型的發明人發現,將設置在CF玻璃層和ITO層之間的BM設置成非連續的,能夠在保證框膠與玻璃的優異的接著力的同時實現框膠層的曝光,從而能夠避免在基板的制作過程中需要將基板進行翻轉,縮短了工藝時間。
為了實現上述目的,本實用新型提供一種適用于窄邊框產品的框膠層曝光的基板,該基板從上至下依次包括:CF玻璃層、遮光層和ITO層,其中,所述遮光層為非連續的,且包括連續遮光區和非連續遮光區。
“基板從上至下依次包括”并不表示基板的被應用的方向,本實用新型僅是為了方便描述清楚而設定了從上至下的方向。
優選地,所述非連續遮光區中含有至少兩個遮光部分,相鄰兩個遮光部分之間具有間隙。
優選地,相鄰兩個遮光部分之間的間隙的寬度為S,且各個所述S獨立地為大于25微米。
優選地,所述連續遮光區和所述非連續遮光區之間具有寬度為S的間隙,所述S為大于25微米。
優選地,各個所述遮光部分的寬度L相同或不同,各個所述L獨立地為大于50微米且大于等于S。
本實用新型的發明人發現,設置L獨立地為大于50微米且大于等于S時,可以在保證框膠層進行照光的同時保證框膠層具有優異的接著強度。
優選地,所述連續遮光區設置在近基板中心區,以及所述非連續遮光區設置在遠基板中心區。
所述遠基板中心區也為近基板邊緣區域。
優選地,所述ITO層的上表面的一部分與所述遮光層直接接觸而另一部分與所述CF玻璃層中未覆蓋有所述遮光層的區域直接接觸。在本實用新型中,所述ITO層連續設置在所述CF玻璃層的覆蓋有所述遮光層的下表面上,從而使得所述ITO層為連續層,該處的連續層與前述的不連續的遮光層是相對的概念。通過前文描述可知,遮光層為不連續的層,這種不連續的遮光層使得未覆蓋遮光層的那部分CF玻璃層裸露。同時,通過設置連續的ITO層,使得該ITO層的上表面的一部分與所述遮光層直接接觸而另一部分與所述CF玻璃層中未覆蓋有所述遮光層的區域直接接觸。
優選地,所述ITO層的材料的成分主要為銦錫氧化物。
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